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hbm資訊

英偉達(dá)大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。

2023-12-29 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1349 0

中國科學(xué)家發(fā)表“大芯片”論文:國產(chǎn)256核RISC-V處理器

中國科學(xué)家發(fā)表“大芯片”論文:國產(chǎn)256核RISC-V處理器

根據(jù)目前所探知的信息,Zhejiang是一個(gè)由16個(gè)小芯片構(gòu)成,其中每片均包含16個(gè)RISC-V內(nèi)核。研究人員指出,可以在單一獨(dú)立組件內(nèi)增加100片這樣...

2024-01-08 標(biāo)簽:處理器芯片HBM 1346 0

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的...

2024-09-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 1337 0

HBM新技術(shù),橫空出世:引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章

HBM新技術(shù),橫空出世:引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章

隨著人工智能、高性能計(jì)算(HPC)以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù),如DDR和GDDR,已逐漸難以滿足這些新...

2025-03-22 標(biāo)簽:內(nèi)存芯片HBM半導(dǎo)體設(shè)備 1336 0

美光宣布開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存 功耗比競爭對手產(chǎn)品低30%

存儲(chǔ)三強(qiáng)的競爭更加激烈了。

2024-02-28 標(biāo)簽:DDR美光HBM 1330 0

三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃

近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激...

2024-08-29 標(biāo)簽:美光SK海力士HBM 1324 0

英偉達(dá)GPU新品規(guī)劃與HBM市場展望

在COMPUTEX 2024主題演講中,英偉達(dá)(NVIDIA)公布了其GPU產(chǎn)品的未來規(guī)劃。據(jù)英偉達(dá)透露,B100、B200和GB200系列GPU將于今...

2024-06-13 標(biāo)簽:gpu英偉達(dá)HBM 1319 0

英偉達(dá)Grace-Hopper提供一個(gè)緊密集成的CPU + GPU解決方案

英偉達(dá)Grace-Hopper提供了一個(gè)緊密集成的CPU + GPU解決方案,針對生成式人工智能逐漸成為主導(dǎo)的市場環(huán)境。

2024-01-02 標(biāo)簽:gpu人工智能英偉達(dá) 1318 0

美光更新路線圖:明年底推GDDR7,2025年底推256GB DDR5-12800

美光更新路線圖:明年底推GDDR7,2025年底推256GB DDR5-12800

 美光公司的新發(fā)展藍(lán)圖延長到了2028年,并在去年7月之前的發(fā)展藍(lán)圖上追加了2年。部分內(nèi)容已經(jīng)重組,還增加了一些新產(chǎn)品。最有趣的新特征之一是hbm ne...

2023-11-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器美光HBM 1307 0

SK海力士超過三星電子成為市場領(lǐng)頭羊

服務(wù)器DRAM是一種價(jià)值較高且至關(guān)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品,對企業(yè)云服務(wù)和數(shù)據(jù)中心發(fā)揮著重要作用,約占整個(gè)DRAM市場的35-40%。

2023-12-04 標(biāo)簽:英特爾DRAMSK海力士 1306 0

臺(tái)灣力成將量產(chǎn)HBM芯片封測業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)今年年底客戶驗(yàn)證完成

蔡篤恭指出,力成深諳硅通孔(TSV)工藝已長達(dá)十年之久,過去這一技術(shù)曾用于CIS,而現(xiàn)在也可以服務(wù)于HBM,特別是面對日益縮小的晶圓和更高精度的研磨要求...

2024-01-11 標(biāo)簽:晶圓CMPHBM 1297 0

美光預(yù)測AI需求將大幅增長,計(jì)劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及,從云端服務(wù)器拓展至消費(fèi)級(jí)設(shè)備,對高級(jí)內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢,美光科技已將其高帶寬內(nèi)存(HBM)的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...

2024-10-26 標(biāo)簽:美光人工智能EUV 1294 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),...

2023-08-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 1289 0

英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代...

2024-11-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)英偉達(dá)HBM 1281 0

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星...

2024-01-08 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 1279 0

臺(tái)積電表示A16工藝不需NAEU,新一代CoWoS封裝獲重大突破

在封裝技術(shù)的研發(fā)道路上,臺(tái)積電從未停止過前進(jìn)的腳步。而除了CoWoS封裝技術(shù)的巨大進(jìn)展,該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。

2024-04-28 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUVCoWoS 1276 0

SK海力士下半年擴(kuò)招加碼,鞏固AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍地位

全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大人才招募計(jì)劃,旨在通過下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動(dòng),進(jìn)一步強(qiáng)化其在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域的領(lǐng)...

2024-09-03 標(biāo)簽:AI人工智能SK海力士 1275 0

湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院:在微納近紅外探測器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展

湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院:在微納近紅外探測器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展

傳感新品 【湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院:在微納近紅外探測器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展】 近日,湘潭大學(xué)湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院曹覺先教授和黃凱教...

2023-06-20 標(biāo)簽:紅外探測器HBM 1268 0

SK海力士將在CES2024向全世界展示AI存儲(chǔ)器領(lǐng)導(dǎo)力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會(huì)“國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 202...

2024-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器HBM 1256 0

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...

2023-11-29 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 1248 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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