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預(yù)測(cè)2025年GaN RF3器件市場(chǎng)整體規(guī)模將超過(guò)20億美元
日前,市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Yole Développement 發(fā)布了2020年第四季度復(fù)合半導(dǎo)體季度市場(chǎng)監(jiān)測(cè)報(bào)告。據(jù)報(bào)告預(yù)測(cè),截至 2025 年,GaN RF...
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過(guò)IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過(guò)IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證 行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈,必須取得對(duì)應(yīng)的認(rèn)證,...
Qorvo發(fā)布用于高級(jí)雷達(dá)系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器
RF解決方案提供商Qorvo10月21日宣布,推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S...
2016-10-24 標(biāo)簽:功率放大器GaN雷達(dá)系統(tǒng) 2206 0
導(dǎo)讀 本文給出了圖像恢復(fù)的一般性框架,編解碼器 + GAN,后面的圖像復(fù)原基本都是這個(gè)框架。 本文會(huì)介紹圖像修復(fù)的目的,它的應(yīng)用,等等。然后,我們將深入...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件?氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么?
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物質(zhì),化學(xué)式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非...
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門召開(kāi)。期間,“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇...
電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率,工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率,這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作,新設(shè)計(jì)通...
回顧2023年電動(dòng)汽車的發(fā)展和創(chuàng)新
2023年,電動(dòng)汽車行業(yè)的快速增長(zhǎng)不僅推動(dòng)了寬帶隙功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,還促進(jìn)了電池管理系統(tǒng)和充電技術(shù)的創(chuàng)新。這些進(jìn)步為電動(dòng)汽車的性能提升和用戶體驗(yàn)的改...
2024-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 2170 0
GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料,相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC,GaN 功率器件是后進(jìn)...
新的GaN技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT
雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單,但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先,通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài),從...
射頻GaN需求飆升,專利申請(qǐng)戰(zhàn)全面啟動(dòng)
RF GaN已被工業(yè)公司認(rèn)可并成為主流。從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的角度來(lái)看,美國(guó)和日本主導(dǎo)著整個(gè)RF GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體,具有一些令人難以置信的特性。其中,它的開(kāi)關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍,從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外,它...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2140 0
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫,這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻,從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 2139 0
成本只要1/3?GaN初創(chuàng)公司譽(yù)鴻錦要發(fā)起一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命”
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)國(guó)內(nèi)氮化鎵市場(chǎng)再迎來(lái)一位新玩家,10月13日,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 正式舉辦氮化鎵(GaN)器件品牌...
2023-10-16 標(biāo)簽:GaN 2138 0
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):I-V 曲線中有什么?(第二部分,共兩部分)
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):I-V 曲線中有什么?(第二部分,共兩部分)
2022-12-26 標(biāo)簽:GaN 2127 0
將InGaN基激光器直接生長(zhǎng)在硅襯底材料上,為GaN基光電子器件與硅基光電子器件的有機(jī)集成提供了可能。另一方面,自1996年問(wèn)世以來(lái),InGaN基激光器...
賽微電子的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)繼續(xù)快速發(fā)展且整體盈利良好
2020年上半年,賽微電子基本每股收益0.0182元,較上年同期下降79.53%;加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.41%,較上年同期下降0.75%(絕對(duì)數(shù)值變動(dòng)...
賽微電子:北京MEMS產(chǎn)線今年Q2正式生產(chǎn) 下半年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)50%的產(chǎn)能
集微網(wǎng)消息 近日,賽微電子在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí),就北京MEMS產(chǎn)線產(chǎn)能、客戶情況、與瑞典MEMS產(chǎn)線如何分工定位,以及GaN業(yè)務(wù)最新發(fā)展情況等問(wèn)題進(jìn)行解答。...
Qorvo?推出高性能BAW濾波器,支持Band 41頻段5G基站部署
Qorvo QPQ1298濾波器可為農(nóng)村、城郊及人口稠密的城市地區(qū)提供5G高數(shù)據(jù)容量所需的更高頻率和帶寬。
2020-09-26 標(biāo)簽:濾波器GaN5G網(wǎng)絡(luò) 2108 0
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