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采用 PowiGaN 技術的 InnoSwitch3 無散熱片反激式開關 IC,功率可達 100 W,效率可達 95%。 PowiGaN 是 Power...
基于GaN光學芯片的高度集成、微型化、低成本光學顯微傳感系統
目前主流商業化的無標記活細胞監測技術以電阻抗測量為基礎的微電子傳感技術為代表,該技術利用活細胞與檢測板孔中微電極相互作用,產生電阻抗的改變來定量活細胞狀...
納芯微全新推出GaN相關產品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關產品,包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等...
硅上GaN LED 不必受應力的影響,一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延...
2022年行家說全球第三代半導體產業發展高峰論壇,暨2022行家極光獎(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎晚宴在深圳順利舉辦。Ne...
一種新型復合SiC-金剛石襯底與GaN器件結合的新工藝流程和制備方案
金剛石材料具有自然界物質中最高的熱導率(高達2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領域的散熱均有重要的應用潛力。
近年來,「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發式增長,使得其越來越貼近我們的生活。
Si之后的新一代功率半導體材料的開發在日本愈發活躍。進入2013年以后,日本各大企業相繼發布了采用SiC和GaN的功率元件新產品,還有不少企業宣布涉足功...
Power Integrations榮獲“國際功率器件行業卓越獎”
Power Integrations,憑借其全球領先的功率器件技術和卓越的市場表現,榮獲了“國際功率器件行業卓越獎”。這一榮譽不僅是對Power Int...
日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN)晶體管,所有...
電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年第三代半導體異?;馃幔瑖鴥韧夂芏喟雽w企業都涌入其中。根據Yole的數據,2020年,GaN功率器件市場規模為460...
英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動GaN技術的發展,從而推動新一代電力電子設備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的Ga...
氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)正迅速獲得采用,因為它能夠提高效率并縮小電源供應器尺寸。不過,在投資這個技術之前,您可能仍會問自己GaN是否可靠。...
傳統上,半導體生產中最常用的材料是硅 (Si),因為它的資源豐富且價格實惠。然而,半導體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數都提供額外的好處...
對于蘋果來說,想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現實,不過讓電池充電速度更快,就是很好的這種辦法,而他們也即將加入GaN技術的充電...
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