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來源:羅姆半導體社區 半導體原料共經歷了三個發展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料;第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...
氮化鎵作為一種寬帶隙復合半導體材料,具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高,以及抗輻射能力強等優勢。其中,開關頻率高意味著應用電路可以采用尺寸...
在軍事應用中,隨著政府的投資并透過取代TWT的系統來改善國家安全,國防將仍然是GaN RF功率元件市場的主要推手之一。
3 月 6 日訊,因應 5G、電動車時代來臨,對于高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬能隙半導體材料興起,全球晶圓代工...
基于GaN的高效率1.6kW CrM圖騰柱PFC參考設計TIDA-00961 FAQ
Other Parts Discussed in Post: C2000WARE, POWERSUITE, SFRA作者: TI 工程師 Aki Li,...
方正微電子:2025年車規SiC MOS年產能將達16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導體領域的IDM(集成設備制造)企業,公司現擁有兩個生產基地(fab)。其中,Fab1已實現每月9000片6英...
現在的充電器與幾年前的充電器相比,體積上大幅縮減,而充電速度卻實現了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
對于新技術而言,GaN本質上比其將取代的技術(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此...
電子工業中最持久的趨勢之一就是小型化。半導體技術的改進強調減小電子元器件的尺寸,同時也需要顯著提高其性能。智能手機、可穿戴設備和平板電腦只是利用最新半導...
2021年9月23日,由充電頭網主辦的“助力快充,選擇合適的氮化鎵功率器件”(線上直播)順利舉辦。在本次線上直播中,充電頭網邀請了國際知名電源芯片公司P...
對于任何機器人系統,模擬都是關鍵的一環。為正確地進行模擬,我們需要編寫復雜的環境規則,如:動態代理的行為,以及每個代理的行為會如何影響其他代理的行為。
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