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第16屆“中國芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦
大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...
2023年十大科技產(chǎn)業(yè)脈動(dòng)出爐,Mini/Micro LED有何發(fā)展趨勢?
電視與車用顯示器將車用顯示器則是另一個(gè)Mini LED背光應(yīng)用場域的孵化溫床。相較于消費(fèi)型顯示器,車用顯示器對于亮度、對比以及信賴性的要 2022年Mi...
隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代,產(chǎn)品的性能也越來越受重視,尤其是在功率設(shè)計(jì)方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效,提高功率密度水平,延長電池續(xù)航時(shí)...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 2465 0
-第79期-SILERGYGaNSolution氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn),通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗,提高效率,降低發(fā)熱,減小了快充充電器的體積。為了實(shí)現(xiàn)更高的...
2022-09-29 標(biāo)簽:GaN 2465 0
首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)
科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
本屆ICLR論文投稿中最熱門的關(guān)鍵詞當(dāng)屬強(qiáng)化學(xué)習(xí)
據(jù)雷鋒網(wǎng)的介紹,與諸多學(xué)術(shù)會(huì)議通行的單盲、雙盲評審制度不同,所有提交的論文都將會(huì)公開作者姓名等信息,并且接受所有同行的評價(jià)及提問(open peer r...
2018-10-08 標(biāo)簽:GAN強(qiáng)化學(xué)習(xí) 2436 0
GaN襯底 中國LED企業(yè)與國外廠家同時(shí)起跑
目前市場上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN,中國市場上99%的襯底材料是藍(lán)寶石,而就全球範(fàn)圍來看...
65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時(shí)間過壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升開關(guān)頻率,附...
生成對抗網(wǎng)絡(luò)(GAN)在機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域展示了創(chuàng)造逼真的圖像和視頻的巨大能力和潛力。除了其生成能力外,對抗學(xué)習(xí)的概念是一個(gè)框架,如果進(jìn)一步探索,它可能會(huì)導(dǎo)致...
2020-07-05 標(biāo)簽:圖像采集GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 2394 0
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億,車規(guī)GaN猛增9倍
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日,功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績報(bào)告,本年度營收達(dá)到8.285億元,同比增長39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)...
我們提出了一個(gè)用于點(diǎn)云生成的概率模型,它可以被用于多種 3D 視覺任務(wù)的基礎(chǔ),例如形狀補(bǔ)全、上采樣、合成和數(shù)據(jù)增強(qiáng)。
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...
高科技做食物,或許可以激勵(lì)吃貨們的學(xué)習(xí)熱情?
碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)
碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...
在脈沖電源設(shè)置中運(yùn)行的高功率GaN放大器適合雷達(dá)應(yīng)用
本次演示介紹我們在脈沖電源設(shè)置中運(yùn)行的高功率GaN放大器,其脈沖寬度經(jīng)過調(diào)整后可用于雷達(dá)應(yīng)用。
MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍
“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢,有望在未來撼動(dòng)整個(gè)市場劃分。”MACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...
好消息!2021年第三代半導(dǎo)體成長迅速回春 GaN功率器件年增高達(dá)90.6%
2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,第三代半導(dǎo)體成長動(dòng)能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為
SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙
硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生產(chǎn)、出色的起始材料質(zhì)量、易于制造和經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性而在電力電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管硅功率器件不斷改進(jìn),但它們...
采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。
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