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SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化?
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》,在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下,碳化硅(...
頗有前景的半導(dǎo)體替代材料:SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點(diǎn)介紹
自1954年以來(lái),硅一直是先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要基石。人們普遍認(rèn)為,硅作為電子元件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)核心材料的地位不可動(dòng)搖。
2024-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2614 0
華林科納----濕法蝕刻制造的GaN基藍(lán)色超輻射LED
隨著低擴(kuò)展缺陷密度獨(dú)立氮化鎵基底的出現(xiàn),在半極性和非極性晶體平面上生長(zhǎng)的量子阱(QW)結(jié)構(gòu)由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關(guān)注。不平衡的雙軸平面...
能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘
該項(xiàng)專利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道,覆蓋更寬的發(fā)射頻帶,更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場(chǎng)景。此外,由于輸入了動(dòng)態(tài)電壓,能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景,也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體,具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
新型寬帶隙半導(dǎo)體(如碳化硅和氮化鎵)在市場(chǎng)上的擴(kuò)散對(duì)傳統(tǒng)的老化和測(cè)試系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn),因?yàn)槁闫叽缭絹?lái)越小,并且組件可以承受更高的電壓和溫度。 老化試驗(yàn)箱...
研究人員開(kāi)發(fā)了一款比現(xiàn)有可用模型更準(zhǔn)確的GaN生物傳感器
GaN生物傳感器基于一種被稱為“生物高電子遷移率晶體管(bio High Electron Mobility Transistor,bioHEMT)”的...
研究人員展示現(xiàn)存能發(fā)射最短波長(zhǎng)的緊湊型激光器
? 垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種快速、高功率的緊湊型半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。VCSEL在數(shù)據(jù)通信、傳感和照明等領(lǐng)域發(fā)揮巨大的作用,...
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
5G高頻特性將使GaN技術(shù)使用領(lǐng)域延伸
相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC與GaN(氮化鎵)具備耐高電壓特色,并有耐高溫與適合在高頻環(huán)境下優(yōu)勢(shì),其可使芯片面積大幅減少,并簡(jiǎn)化...
對(duì)于經(jīng)常有出差需求的筆者來(lái)說(shuō),Macbook是必須隨身攜帶的,至于手機(jī)自然也是不可或缺的機(jī)不離身,有時(shí)還會(huì)擔(dān)心行程時(shí)間太久遠(yuǎn),帶上HiFi播放器一路上聽(tīng)...
消息稱蘋(píng)果將采用GaN技術(shù)的充電器、電池充電速度更快
對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō),想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現(xiàn)實(shí),不過(guò)讓電池充電速度更快,就是很好的這種辦法,而他們也即將加入GaN技術(shù)的充電...
順絡(luò)GaN MOS適配器用大電流磁珠產(chǎn)品特點(diǎn)
開(kāi)發(fā)背景 如自從小米推出高功率65W GaN適配器,GaN適配器高頻開(kāi)關(guān)MOS使得適配器的功率密度進(jìn)一步提高,產(chǎn)品尺寸更小,充電功率更高,得到市場(chǎng)的一致...
GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元
全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...
2021-05-21 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2509 0
SiC的總市場(chǎng)容量到2022年將超過(guò)10億美元
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代,行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上,從特性上來(lái)講,SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的,應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)...
2020-09-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體GaN 2504 0
谷歌藝術(shù)和文化實(shí)驗(yàn)室推出了一個(gè)名為“詩(shī)歌肖像”的應(yīng)用
Goodwin通過(guò)讓Poemportraits讀取了19世紀(jì)詩(shī)歌中超過(guò)2500萬(wàn)個(gè)單詞來(lái)學(xué)習(xí)寫(xiě)詩(shī)。像所有訓(xùn)練有素的機(jī)器學(xué)習(xí)模型一樣,它不會(huì)復(fù)制或重寫(xiě)現(xiàn)有...
2019-05-08 標(biāo)簽:谷歌GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 2498 0
第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦
大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...
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