年相比）SiC成長(zhǎng)10倍，GaN翻至60倍，Si增長(zhǎng)45.1％。 該機(jī)構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國(guó)和歐洲擴(kuò)張，從2017年~2018年，SiC增長(zhǎng)41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:42
7827 在未來(lái)十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開(kāi)始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異常火熱，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì)，2021全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:301692 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 是工業(yè)領(lǐng)域。2010年，該領(lǐng)域中的MCU營(yíng)業(yè)收入為7.83億美元。工業(yè)設(shè)備對(duì)于MCU的需求巨大，尤其是在信息管理、數(shù)據(jù)處理和通訊領(lǐng)域。消費(fèi)電子成為中國(guó)的第二大MCU市場(chǎng)，MCU已進(jìn)入家電、電視、游戲機(jī)
2011-04-02 23:25:35
今年前20大半導(dǎo)體供貨商營(yíng)收排名計(jì)算。采芯網(wǎng)表示，聯(lián)發(fā)科受惠于中國(guó)大陸手機(jī)客戶OPPO、Vivo快速成長(zhǎng)，可望推升今年?duì)I收達(dá)86.1億美元，年增29%，不僅為成長(zhǎng)幅度第二大的廠商，更超越英飛凌與ST
2016-11-22 18:11:46
據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2014-2017年，我國(guó)MEMS壓力傳感器市場(chǎng)規(guī)模呈穩(wěn)步上升的趨勢(shì)，其年復(fù)合增長(zhǎng)率為11.46%。2017年我國(guó)MEMS壓力傳感器市場(chǎng)規(guī)模為32.4億元，同比去年增長(zhǎng)12.5
2018-12-17 11:30:50
導(dǎo)讀：全球智能音箱市場(chǎng)的價(jià)值可能高達(dá)300億美元，到2025年接近400億美元似乎也并不是遙不可及。[img][/img] 智能音箱持續(xù)熱銷。Strategy Analytics（全球著名
2019-03-02 09:28:20
來(lái)源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
Yole數(shù)據(jù)顯示2017年GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約3.8億美元。其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為40%、38%。預(yù)計(jì)2023年將達(dá)到13億美元，其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為43%、34
2019-06-11 04:20:38
2020年科技的需求趨勢(shì)，市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的良性需求持續(xù)上升，隨著5G的引入和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)將從半導(dǎo)體受益開(kāi)始從設(shè)備升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)張。隨著先進(jìn)晶圓工藝的萎縮，埃斯莫爾對(duì)EUV工藝的需求強(qiáng)勁，對(duì)EUV
2019-12-03 10:10:00
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測(cè)算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來(lái)的10
2019-05-06 10:04:10
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
，其設(shè)計(jì)的方案滿足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)相比，成本相近甚至更低。” 應(yīng)需而生的GaN功率IC Stephen解釋說(shuō)，速率與效率是電源設(shè)計(jì)中兩個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，至今常用的半導(dǎo)體材料
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
]功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)的年均復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)6.5%，到2021年，市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)800億美元。目前，基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場(chǎng)主體（占比超過(guò)70%），這主要?dú)w功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
年占比將達(dá) 39%，對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó)作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將從 106.9 億美元增至 124.3 億美元。圖：全球/中國(guó)功率器件市場(chǎng)（億美元）來(lái)源：Omdia，國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究
2022-11-11 11:15:56
，簡(jiǎn)化復(fù)雜的線路設(shè)計(jì)，讓設(shè)計(jì)者可以很容易的應(yīng)用并發(fā)揮其特性。 碳化硅半導(dǎo)體 除了GaN，碳化硅(SiC)是目前發(fā)展較成熟的寬能隙(WBG)半導(dǎo)體材料，在新一代電源中扮演了重要的角色，與傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體相比
2018-10-23 16:12:16
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的最新報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商由于預(yù)期客戶有較高的需求，在2012年第一季再度提高庫(kù)存水位；據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商庫(kù)存量占據(jù)廠商當(dāng)季營(yíng)收的五成，該比例在
2012-06-12 15:23:39
、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域大展拳腳。正是因?yàn)榧す庠O(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域很廣，涉及行業(yè)眾多，所以半導(dǎo)體激光器的市場(chǎng)規(guī)模很大。據(jù)OFweek行業(yè)研究的數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體激光器在2017年的市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)53．1億美元，同比
2019-05-13 05:50:35
研發(fā)投入都保持每年增長(zhǎng)30%。2013年，Altera的營(yíng)收額達(dá)17.32億美元，研發(fā)投入就高達(dá)3.85億美元。鑒于經(jīng)濟(jì)逐漸向好，Altera在2014年表現(xiàn)搶眼，其中基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)起了很大的推動(dòng)
2019-06-25 06:31:51
的份額。數(shù)據(jù)顯示，如果AMD和賽靈思達(dá)成協(xié)議，今年迄今規(guī)模最大的交易中，將有三筆來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)。另外兩筆分別是ADI斥資200多億美元收購(gòu)Maxim，9月份英偉達(dá)斥資400億美元收購(gòu)軟銀集團(tuán)旗下的英國(guó)芯片
2020-10-10 15:41:19
市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到201億美元，而這個(gè)數(shù)字到2010年更將增長(zhǎng)到259億美元。在這其中，F(xiàn)PGA目前占了約9,300萬(wàn)美元，且今后三年內(nèi)有望增長(zhǎng)到3.12億美元。目前，車用FPGA主要集中在信息娛樂(lè)/后裝
2019-05-13 14:11:25
Higham表示：“一旦高功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場(chǎng)將會(huì)迎來(lái)大量機(jī)會(huì)。在商用微波爐、汽車照明和點(diǎn)火、等離子照明燈等設(shè)備市場(chǎng)，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達(dá)
2018-02-12 15:11:38
博學(xué)的助理、內(nèi)容質(zhì)量提高緩慢、缺少有關(guān)多少消費(fèi)者愿意付費(fèi)體驗(yàn)VR的信息等。VR游戲可讓更多人熟悉VR，同時(shí)VR體驗(yàn)也至關(guān)重要。
2020年VR市場(chǎng)價(jià)值可達(dá)280億美元，新增用戶達(dá)1.14億
根據(jù)
2016-12-15 14:32:33
/ xzl1019 未來(lái) 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
促進(jìn)智能電網(wǎng)的發(fā)展以滿足日益增長(zhǎng)的穩(wěn)定的供電需求。預(yù)計(jì)到2022年，全球智能電網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到506.5億美元，期間年復(fù)合增率達(dá)到19.4%。從區(qū)域市場(chǎng)來(lái)看，在預(yù)測(cè)期內(nèi)，北美地區(qū)有望主導(dǎo)全球智能電網(wǎng)市場(chǎng)
2018-01-24 14:32:00
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè)，2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，受益于國(guó)際行情，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33
MAX3232EUE+T出約14兆至1兆韓元，約合125億至134億美元，是全球第一大半導(dǎo)體資本支出大廠。 在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)低迷的情況下，各大半導(dǎo)體廠商的日子也是不好過(guò)。據(jù)近期統(tǒng)計(jì)顯示，今年全球有6家半導(dǎo)體業(yè)者資本
2012-09-21 16:53:46
半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè)，2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現(xiàn)拐點(diǎn)，受益于國(guó)際行情，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:13:35
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
％，Gartner表示，2018年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估將達(dá)到4,510億美元，相較2017年的4,190億美元增加7.5%。雖然手機(jī)市場(chǎng)趨緩，但今年半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊大好，臺(tái)積電就預(yù)測(cè)今年仍將有最高達(dá)15
2018-01-29 15:41:31
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
年占比將達(dá) 39%，對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó)作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將從 106.9 億美元增至 124.3 億美元。圖：全球/中國(guó)功率器件市場(chǎng)（億美元）來(lái)源：Omdia，國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究
2022-11-11 11:50:23
年占比將達(dá) 39%，對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó)作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，將從 106.9 億美元增至 124.3 億美元。圖：全球/中國(guó)功率器件市場(chǎng)（億美元）來(lái)源：Omdia，國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究
2022-11-11 11:46:29
確保不會(huì)衰退，預(yù)期增長(zhǎng)1%，半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值將突破3400億美元關(guān)口，中國(guó)大陸地區(qū)將繼續(xù)引領(lǐng)整個(gè)行業(yè)的增長(zhǎng)。 2016年半導(dǎo)體行業(yè)AOI設(shè)備需求熱度有望保持 2015年半導(dǎo)體設(shè)備需求在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)
2016-02-16 11:33:37
透露，2016年，預(yù)計(jì)全球智能變壓器和智能開(kāi)關(guān)市場(chǎng)收益約為203億美元，預(yù)計(jì)到2025年增至241億美元。“傳統(tǒng)變壓器和開(kāi)關(guān)設(shè)置更換意味著在未來(lái)十年大規(guī)模的投資即將來(lái)臨
2016-05-05 13:41:31
，2016年，預(yù)計(jì)全球智能變壓器和智能開(kāi)關(guān)市場(chǎng)收益約為203億美元，預(yù)計(jì)到2025年增至241億美元。“傳統(tǒng)變壓器和開(kāi)關(guān)設(shè)置更換意味著在未來(lái)十年大規(guī)模的投資即將來(lái)臨。”NavigantResearch
2016-05-05 13:38:44
。對(duì)于全年的產(chǎn)業(yè)銷售收入，預(yù)測(cè)最低可達(dá)4510億美元，最高有望首次跨越5000億美元大關(guān)，同比增幅在7.6%-14%左右。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)向好，得益于市場(chǎng)需求端增長(zhǎng)較為確定，以及供給端擴(kuò)產(chǎn)較為理性
2018-08-21 18:31:47
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬(wàn)個(gè)，與現(xiàn)有的接近50萬(wàn)個(gè)相比，未來(lái)2年多內(nèi)將安裝430萬(wàn)個(gè)，其中將至少有200萬(wàn)個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15
體的半導(dǎo)體廠商，安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司擁有近20年的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，在二極管、三極管、MOSFET、LDO、DC-DC、頻率器件、功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售上已形成完整與成熟的產(chǎn)品鏈，擁有
2021-12-31 11:56:10
德州儀器是一家全球性的半導(dǎo)體公司，也是世界一流的實(shí)時(shí)數(shù)字處理解決方案的設(shè)計(jì)商和提供商。自1996年轉(zhuǎn)型成專注于為信號(hào)處理市場(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體，在全球約有30300名雇員，并在亞洲、歐洲和美洲的超過(guò)25個(gè)
2017-07-28 14:27:01
（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）公布了按照U.S. GAAP(美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則)編制的截至2018年9月29日的第三季度財(cái)報(bào)。意法半導(dǎo)體第三季度實(shí)現(xiàn)凈營(yíng)收25.2億美元，毛利率
2018-10-29 11:42:21
2018年6月30日，意法半導(dǎo)體的凈財(cái)務(wù)狀況（非美國(guó)通用會(huì)計(jì)原則）為4.11億美元，而2018年3月31日為5.22億美元，財(cái)力總計(jì)21.3億美元，負(fù)債總計(jì)17.2億美元。業(yè)務(wù)展望在汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)
2018-07-26 17:11:14
的關(guān)鍵所在，還需在研發(fā)人才培養(yǎng)、積累技術(shù)加大投入，突破關(guān)鍵技術(shù)完善專利布局，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。2015年我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值達(dá)4245億元人民幣，相比2014年增長(zhǎng)21
2016-03-03 16:44:05
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
1700億的地產(chǎn)富豪，這個(gè)億當(dāng)然就是一個(gè)小目標(biāo)。根據(jù)財(cái)報(bào)，萬(wàn)達(dá)2015年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1242.03億元（186億美元），歸屬于母公司股東凈利潤(rùn)299.71億元（約45億美金）。而公開(kāi)的數(shù)據(jù)顯示，王健林和王思
2016-09-01 11:36:32
看到的高科技工具，離普通老百姓的生活越來(lái)越近。據(jù)專家預(yù)測(cè)，到2018年，全球無(wú)人機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)攀升到10億美元以上。 而在無(wú)人機(jī)和機(jī)器人的控制中，傳感器起了至關(guān)重要的作用。近年來(lái)，全球傳感器市場(chǎng)一直
2016-06-03 10:30:10
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)
2015-09-15 17:11:46
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
芯片的模塊，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬(wàn)公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平，顯示IGBT芯片達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。2008年，南車時(shí)代電氣成功并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司，2012年，株洲所
2015-01-13 15:48:21
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億
2021-01-12 11:48:45
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到13億美元，約占3W以上的RF 功率市場(chǎng)的45%。2015-2025年射頻功率市場(chǎng)不同技術(shù)路線的份額占比資料來(lái)源：YOLE境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見(jiàn)光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
，共同開(kāi)發(fā)氮化鎵功率器件。之后，兩家企業(yè)還與富達(dá)投資（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投資1.5億美元，推動(dòng)公司的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣。另外，公司還與車規(guī)半導(dǎo)體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40
萬(wàn)美元，這是自2000年以來(lái)最高的第二季業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)。飛兆半導(dǎo)體在今年第二季出現(xiàn)3,900萬(wàn)美元的活動(dòng)現(xiàn)金流，并支付2,000萬(wàn)美元債務(wù)。在第二季季末，總體現(xiàn)金和有價(jià)證券超出債務(wù)達(dá)到創(chuàng)記錄的1.67億美元。飛
2011-07-31 08:51:14
。功率開(kāi)關(guān) (SiC/GaN MOSFET) 的新技術(shù)將提高開(kāi)關(guān)頻率，從而減小電感和電容尺寸，同時(shí)要求更精確、更快速、能效更高的檢測(cè)、控制和驅(qū)動(dòng)IC。到2021年，在全部電站級(jí)逆變器中，30 kW至
2018-10-22 17:01:41
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 新興市場(chǎng)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到近10億美元，推動(dòng)力來(lái)自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:233544 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門(mén)的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48910 的市場(chǎng)收入以兩位數(shù)增長(zhǎng)，到 2029 年將超過(guò) 50 億美元。 GaN 和 SiC 功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)收入預(yù)測(cè)（單位：百萬(wàn)美元） SiC 肖特
2020-11-16 10:19:322223 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0010174 
研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:391012 
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 封裝作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心一環(huán)，主要目的為保護(hù)芯片。近日，TECHCET也發(fā)布了針對(duì)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)的最新展望，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)總體規(guī)模約為261億美元，到2027年將有望達(dá)到300億美元。
2023-05-10 15:31:29972 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042
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