據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場的報(bào)告預(yù)估，汽車，電氣設(shè)備，信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮β拾雽?dǎo)體（SiC和GaN）需求的預(yù)計(jì)將增加。預(yù)計(jì)2030年（與2018年相比）SiC成長10倍，GaN翻至60倍，Si增長45.1％。

該機(jī)構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場主要在中國和歐洲擴(kuò)張，從2017年~2018年，SiC增長41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長。此外，SiC-FET（場效應(yīng)晶體管）主要在汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域大大擴(kuò)展。

海外汽車制造商計(jì)劃在2022年左右將SiC功率半導(dǎo)體用于驅(qū)動(dòng)逆變器模塊，預(yù)計(jì)汽車和電氣元件的需求將增加。尤其是歐洲和中國的需求領(lǐng)先，大型商用車和豪華車的采用正在擴(kuò)大，預(yù)計(jì)將在2025年左右主流車輛開始采用。目前，Si功率半導(dǎo)體被用于驅(qū)動(dòng)逆變器模塊，車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器，但預(yù)計(jì)將被SiC功率半導(dǎo)體取代。在鐵路車輛領(lǐng)域，對(duì)新型高速車輛的需求正在增加，并且在工業(yè)領(lǐng)域中，預(yù)期將在大功率設(shè)備相關(guān)應(yīng)用中比較常見。

雖然市場一直在放緩，但由于未來的高耐壓，預(yù)計(jì)GaN功率半導(dǎo)體將主要在汽車和電氣元件領(lǐng)域得到廣泛采用。與SiC功率半導(dǎo)體相比，目前市場擴(kuò)張速度緩慢，入門級(jí)制造商預(yù)計(jì)2022年需求將全面增長。

由于GaN功率半導(dǎo)體在高速開關(guān)性能方面具有優(yōu)勢，因此對(duì)于信息通信設(shè)備領(lǐng)域中的基站電源和用于虛擬貨幣交易的采礦服務(wù)器電源的需求預(yù)計(jì)會(huì)增加。在汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域，對(duì)于配備有用于EV和高頻脈沖電源電路的無線電源的機(jī)床和醫(yī)療設(shè)備，預(yù)計(jì)需求將增加。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，高端音頻，無線供電系統(tǒng)和AC適配器很有前景。

在安裝GaN功率半導(dǎo)體時(shí)，改變用戶側(cè)的電路設(shè)計(jì)需要是擴(kuò)散的障礙之一。然而，隨著控制電路集成到IC中的封裝產(chǎn)品開發(fā)正在進(jìn)行中，預(yù)計(jì)未來的采用將會(huì)增加。由于大規(guī)模生產(chǎn)導(dǎo)致價(jià)格下降和高擊穿電壓進(jìn)展，預(yù)計(jì)采用的應(yīng)用將會(huì)擴(kuò)大。

基于氧化鎵的功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將于2019年全面推出，屆時(shí)主要制造商將主要生產(chǎn)SBD。此外，F(xiàn)ET的樣品出貨時(shí)間安排在2020年左右，預(yù)計(jì)其實(shí)際使用將在此后進(jìn)行。在大規(guī)模生產(chǎn)之初，預(yù)計(jì)將在消費(fèi)設(shè)備領(lǐng)域采用電源。最初，計(jì)劃開發(fā)600V和10A產(chǎn)品，但從現(xiàn)在開始，由于電流值的提高，預(yù)計(jì)應(yīng)用擴(kuò)展到工業(yè)領(lǐng)域。