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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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藍(lán)寶石LED蝕刻的新要求已經(jīng)被引入，因為LED照明的新應(yīng)用正在推動正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。 量子效率的提高正在推動新的垂直結(jié)構(gòu)，需要額外的蝕刻要求。 ...
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...
共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在...
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...
基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實現(xiàn)有效的襯底...
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...
? 通過小心增加[H2O]來提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎(chǔ)配方技術(shù)的有效性可以通過小心處理三種主要成分的比例來突出。在本例中，配方調(diào)整產(chǎn)生了一...
已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動力學(xué)阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，...
2022-03-08 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1089 0
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗...
韓國POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需氣體
兩家公司計劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計劃，生產(chǎn)線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。
摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...
關(guān)于氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻的研究報告
引言 氮化鎵因其獨特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...
在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...
通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實現(xiàn)的濕式蝕刻
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本...
印度展開鋁箔反傾銷調(diào)查，中國產(chǎn)品或進(jìn)口產(chǎn)品成為目標(biāo)
然而，經(jīng)過詳細(xì)考慮，本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔，也不會涉及原產(chǎn)自中國、印度尼西亞、馬來西亞和泰國且厚度不超過80微米的鋁箔，...
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢，預(yù)測大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...
《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)
摘要 高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...
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