適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學成分（2）
通過小心增加[H2O]來提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎配方技術的有效性可以通過小心處理三種主要成分的比例來突出。在本例中，配方調整產生了一種清潔溶液，在20°C的溫度下，經過幾分鐘的時間，與幾種不同的金屬和阻擋層特征相比，該溶液對金屬疊層提供了優異的清潔和選擇性(圖5)。
結論
傳統上，氫氟酸在半清洗中的侵蝕性是通過降低其在水中的濃度來控制的，稀HF (dHF和dHF+)、BOE和各種基于HF的專有清洗產品的廣泛適用性證明了這一點。
這種新穎的半水配制HF方法看起來可擴展和調整到幾乎所有的半導體疊層和互連技術。TechniClean IK73基于清潔能力(尤其是對Ta、Hf、Zr基化學惰性殘留物的清潔能力)提供了明顯的優勢，對敏感基材如Cu和Al具有高選擇性。此外，該解決方案在非晶和沉積態高K氧化物和金屬之間提供了非常高的選擇性，提高了整體殘留物清洗性能、特征清潔度和完整性。
審核編輯：符乾江
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