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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇:有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pc...
本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液,在晶圓表面,為了形成LSI布線,現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式,這是因...
硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過濕化學(xué)蝕刻方法來實(shí)現(xiàn)。
本文對單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口...
通過光刻和蝕刻工藝順序提高整個晶圓的關(guān)鍵尺寸均勻性(1)
摘要 跨晶圓柵極臨界尺寸(CD)的一致性會影響芯片與芯片之間在速度和功耗方面的性能差異。隨著線寬減小到90 nm及以下,跨晶片CD均勻性的性能規(guī)格變得越...
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體...
摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢,因?yàn)樗哂袩o污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而,...
在高頻水溶液中,SiO的蝕刻可以通過電場的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中,非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑,并加上電場...
2022-03-07 標(biāo)簽:電位器實(shí)驗(yàn)蝕刻 2219 0
關(guān)于微技術(shù)中硅反應(yīng)離子刻蝕的研究
等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡單;使用氣體輝光放電來離解和離子化相對穩(wěn)定的分子,形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì),并選擇化學(xué)物質(zhì),使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng),形...
摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明,近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實(shí)驗(yàn)和分析表明,這些缺陷中幾乎有一半是由于在...
TMAH溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此,詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻;我們發(fā)現(xiàn)m-G...
微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件,因?yàn)樗鼈冊诠鈱W(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強(qiáng)化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹...
側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項(xiàng),它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比, 稱為蝕刻因子。
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們...
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場 2023-2030分析
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場上有各種類型...
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