如何進(jìn)行電解液制備，它的步驟是怎樣的

1、快速有效的方法 電解液制備方法是一種快速高效的金相制備方法，可提供無(wú)變形的表面，而機(jī)械研磨和拋光則易于在表面留下薄的變形層。 在使用電解液拋光設(shè)備時(shí)...

2020-06-29 標(biāo)簽：蝕刻電解液拋光 1.1萬(wàn) 0

SC1/SC2蝕刻后Si表面的分析

本文首次提出了由標(biāo)準(zhǔn)SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過(guò)NH3:H2O2:H2O混合物...

2022-02-23 標(biāo)簽：機(jī)械晶體蝕刻 9730 0

2022年半導(dǎo)體硅片行業(yè)研究報(bào)告

半導(dǎo)體硅片是制造芯片的載體，因原材料為硅，又稱為硅晶片。規(guī)劃和無(wú)經(jīng)理硅提煉、提純、單晶硅生產(chǎn)、晶圓成型等工藝后，才能進(jìn)入芯片單路蝕刻等后續(xù)環(huán)節(jié)，是制造芯...

2022-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓分立器件 8648 0

蝕刻技術(shù)蝕刻工藝及蝕刻產(chǎn)品簡(jiǎn)介

關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)...

2023-03-16 標(biāo)簽：材料蝕刻 7854 0

用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理

關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A...

2021-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 7481 0

濕法蝕刻與干法蝕刻有什么不同

在半導(dǎo)體芯片的物理和故障分析過(guò)程中(即驗(yàn)證實(shí)際沉積的層，與導(dǎo)致電路故障的原因)，為了評(píng)估復(fù)雜的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，擁有適當(dāng)?shù)奶幚砉ぞ咧陵P(guān)重要。為制造的每件產(chǎn)品開(kāi)...

2022-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS蝕刻 6880 0

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備現(xiàn)狀 蝕刻機(jī)一枝獨(dú)秀

在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國(guó)投入最多資金的就屬晶圓代工部份。具體來(lái)說(shuō)，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)最復(fù)雜，且...

2019-07-09 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體PCB設(shè)計(jì) 5972 0

蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)介紹

關(guān)于在進(jìn)行這種濕法或干法蝕刻過(guò)程中重要的表面反應(yīng)機(jī)制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進(jìn)行解說(shuō)。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細(xì)加工、厚膜材料的三維加...

2022-04-06 標(biāo)簽：工藝蝕刻加工 5639 0

半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義，其創(chuàng)建過(guò)...

2022-03-10 標(biāo)簽：晶圓蝕刻器件 5213 0

噴淋蝕刻在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中的蝕刻原理解析

在噴淋蝕刻過(guò)程中，蝕刻液是通過(guò)蝕刻機(jī)上的噴頭，在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2020-04-08 標(biāo)簽：印制電路板PCB設(shè)計(jì)蝕刻 4366 0