行業背景 隨著工業技術的不斷發展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業的工作方式。在半導體芯片行業，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業達到監控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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在英特爾簡化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場效應晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。
2024-02-28 11:45:25223 
等高精度檢測。特別在生產工藝后段，品質管控的標準達到了新的高度。硅片在經歷切割、清洗、烘干等工序后，將進行缺陷檢測，然后直接包裝出貨。如何在高速產線上可靠識別、穩定
2024-02-23 08:23:46126 
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 根據清洗介質的不同，目前半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業，10余載研發歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636 至純科技旗下的至微科技是國內濕法設備市場主流供應商之一，在28納米節點實現了全覆蓋，全工藝機臺亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 使用至光伏/半導體制造工藝的不同環節中，這可能會帶來更多新材料成分的納米顆粒潛在污染，亟需對硅片表面納米顆粒進行尺寸和數量的表征。
2024-01-11 11:29:04348 
這次晨控智能與某光伏大廠合作，為光伏硅片生產帶來透明化與可追溯性，確保光伏硅片的質量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
的，等離子體刻蝕的缺點是容易產生離子誘導損傷，難以獲得光滑的刻蝕側壁。為了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一種稱為數字蝕刻的技術來進行研究。
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
在半導體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導電連接。
2023-11-29 09:15:31434 
產品詳情 PTT-03A硅片厚度測試儀產品簡介PTT-03A薄膜厚度測試儀是一款高精度接觸式薄膜、薄片厚度測量儀器；適用于金屬片、塑料薄膜、薄片、紙張、 橡膠、電池隔膜、箔片、無紡布
2023-11-27 14:51:47
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
一、太陽能電池硅片測厚儀概述太陽能電池硅片測厚儀是一種專門用于測量太陽能電池硅片厚度的設備。在太陽能電池的生產過程中，硅片厚度的準確測量對于提高電池效率和使用壽命具有重要意義。機械接觸式太陽能電池
2023-10-27 16:19:11
Bumping工藝是一種先進的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響Bumping的質量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關鍵。
2023-10-23 11:18:18475 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
51單片機如何用按鍵控制數碼管要求一個按鍵按下去加一，一個減一
2023-09-27 08:17:29
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術，旨在優先去除特定方向的材料以獲得復雜且通常平坦的形狀。濕法技術利用結構的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質
2023-08-22 16:32:01407 我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
來源：《半導體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經驗，Siconnex已成長為可持續濕法工藝設備的領先供應商。可持續發展和環境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 這篇文章簡要介紹CEA-Leti發布用于Chiplet 3D系統的硅光Interposer工藝架構，包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle工藝、后端工藝 (BEOL) 和背面工藝。
2023-08-02 10:59:512631 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140 硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513716 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內半導體產業的行業盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領先的濕法解決方案，并攜泛半導體濕法裝備服務平臺亮相SEMICON China，與上下游企業進行一對一交流，為企業發展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉為干法刻蝕，因此所需的設備和工藝更加復雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數出現波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
繪誤差、圖形轉移誤差，對工程底片進行工藝補償，以達到線寬/線厚的要求。華秋擁有高精度LDI曝光機及宇宙水平線，線寬公差可控制±15%以內（行業普標為±20%），最小線寬線距2.5/3.0 mil，蝕刻
2023-06-25 10:25:55
繪誤差、圖形轉移誤差，對工程底片進行工藝補償，以達到線寬/線厚的要求。華秋擁有高精度LDI曝光機及宇宙水平線，線寬公差可控制±15%以內（行業普標為±20%），最小線寬線距2.5/3.0 mil，蝕刻
2023-06-25 09:57:07
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質譜分析儀適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程
2023-06-21 10:09:13197 
太陽能硅片又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產生電流。
硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽能電池片，一般有N型硅片P型硅片。太陽能硅片中的N型和P型有以下區別：
2023-06-20 16:59:448127 離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
通過濕法轉移二維材料與半導體襯底形成異質結是一種常見的制備異質結光電探測器的方法。在濕法轉移制備異質結的過程中，不同的制備工藝細節對二維材料與半導體形成的異質結的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機械系統（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現有的表面加工技術，目前大多數的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產業鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復摩擦，硅片表面發生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
硅片切割作為硅片加工工藝過程中最關鍵的工藝點， 其加工質量直接影響整個生產全局及后續電池片工藝制備。 圖1-硅片切割示意圖 圖2-硅片樣品圖 目前各類硅片平均厚度為 75μm~140
2023-05-11 18:58:02864 
KRi 射頻離子源應用于車載攝像頭鏡片鍍膜工藝, 實現車載鏡頭減反, 塑膠鏡片增透車載鏡頭的鍍膜非常重要, 鍍膜的核心用途就是增加透光率. 先進的鍍膜技術可以最大限度地減少反光, 通過減少光在折射
2023-05-11 13:36:08
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
一、傳統工藝品制作煥發生機，3D掃描技術帶來生產工藝革新 傳統工藝美術是老百姓在日常生活和勞作中的精神提煉與藝術創作的具體體現。而雕刻便是傳統工藝美術的具體表現之一。傳統的雕刻工藝包括木雕、浮雕
2023-04-25 13:04:47375 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
半導體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機 ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節點。從45nm節點后，雙重圖形化技術已經應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節點的繼續縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，是電子產品的核心。在電子半導體器件制造中，單晶硅的氧濃度會嚴重影響單晶硅產品的性能，也是單晶硅生長過程中較難控制的環節。因此，對硅片承載區域氧氣含量
2023-03-29 11:48:39453 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
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