濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。

濕法刻蝕，對于12寸的邏輯，存儲等線寬極小的晶圓廠來說，幾乎已經銷聲匿跡了，但是在功率器件，光電器件，mems傳感器領域依舊應用廣泛。

為什么濕法刻蝕依舊普遍？

1，成本問題。干法刻蝕機臺實在太昂貴了，電力、氣體和維護成本都很高；而濕法刻蝕一般是簡單的化學溶液槽，再加上超聲波，加熱系統等，一臺浸泡式濕法刻蝕機就做好了，而且化學刻蝕液的成本低廉。

2，操作簡單。濕法刻蝕技術相對簡單，易于操作和維護，刻蝕速率快，便于批量化生產。

3，針對特殊應用。有些產品中某些材料并不適合干法刻蝕，必須用濕法刻蝕，比如Cu。

濕法刻蝕與濕法清洗的區別

我個人的理解，濕法刻蝕主要是除去不希望留下的薄膜。而濕法清洗主要是洗去顆粒或上一工序留下的殘留。比如cmp研磨后，在晶圓表面有大量的顆粒污染，就需要有cmp后清洗的步驟。比如在擴散前，用SC-2,SC-1來清洗硅片的表面。

濕法刻蝕用在哪些芯片制程中？

1，除了集成電路極小部分制程需要外，非集成電路的大部分產品都會用到。換句話說，只要刻蝕要求不是那么嚴格（3um），都能用濕法刻蝕來替代干法刻蝕。集成電路主要包括模擬器件，邏輯，微處理器，存儲等，而非集成電路一般包括mems傳感器，光電器件，分立器件等。

2，所有的晶圓級封裝廠，TSV轉換板廠都需要濕法刻蝕。需要用濕法刻蝕來除去電鍍bump后的種子層等。

3，等等

濕法刻蝕液有哪些種類？

以下僅僅列舉了半導體制程中常見的，且用量巨大的濕法刻蝕液，當然濕法刻蝕液種類不僅僅限于下面所列舉的。

導體濕法刻蝕液

銅刻蝕液，鋁刻蝕液，Cr刻蝕液，Ti刻蝕液，金刻蝕液，鎳刻蝕液，錫刻蝕液，Ta刻蝕液，鉍刻蝕液，鈷刻蝕液，In刻蝕液，鍺刻蝕液，Pt刻蝕液，Mo刻蝕液，Zn刻蝕液等。

絕緣體刻蝕液

氧化硅刻蝕液，氮化硅刻蝕液，氧化鋁刻蝕液，藍寶石刻蝕液，碳刻蝕液，環氧樹脂刻蝕液，光刻膠剝離液等。

半導體材料刻蝕液

PZT刻蝕液，硅刻蝕液，SiC刻蝕液，砷化鎵刻蝕液，砷化銦鎵刻蝕液，磷化銦鎵刻蝕液，InP刻蝕液，磷化氧化銦刻蝕液，氧化銦錫刻蝕液，ZnO刻蝕液等。

目前國內刻蝕液廠商情況？

由于之前對于半導體行業的忽視，導致目前大陸極少有專業主攻晶圓級濕法刻蝕液的廠家，大多為化學原料廠轉型而來，刻蝕液種類少，性能差。晶圓級刻蝕液與傳統行業的刻蝕液在配方，工藝，標準上有很大差別，技術含量更高，一般不能互用。目前大陸的晶圓級刻蝕液市場還是被日本，臺灣等廠商壟斷。

審核編輯：劉清