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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
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通過使用多級等離子體蝕刻實驗設計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...
半導體蝕刻系統(tǒng)市場預計增長到2028年的120億美元，復合年增長率為2.5%
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表...
利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結構，經氟化后表現(xiàn)出較強的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術將分層硅結構轉移到NOA63...
通過X射線光刻在指尖大小的芯片中產生高精度微光學元件的晶圓級制造
引言 在過去的二十年中，市場對大量N灰度級三維微納米元件的需求一直很活躍。基于鉛筆束的光刻技術，我們可以生產出精確的組件，但目前需要更長的時間去處理。使...
PTFE管用途：可用于蝕刻搖擺機的搖擺架，PTFE也稱：可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機的簡單介紹： 1、采用傳動裝置，霧化噴淋，結構合理...
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導致建...
清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充...
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導體制造中使用的關鍵技術，主要用于通過化學溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學溶液中以去...
介紹 于大多數(shù)半導體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應發(fā)生在黑暗中的p型半導體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物...
根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學顯微鏡觀察到產生水痕缺陷...
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2022-08-09 標簽：蝕刻 717 0
各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...
類金剛石碳(DLC)膜具有諸如高硬度和低摩擦系數(shù)的優(yōu)異特性，并且在切削工具、金屬模具和機器部件中具有應用。不幸的是，它們通常表現(xiàn)出低粘合強度由于高的內部...
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮...
上海伯東日本 Aston? 質譜儀能夠進行準確且可操作的端點檢測, OA% 是傳統(tǒng) OES 計量解決方案的一個數(shù)量級（1/10）. Aston? 質譜...
具有高k柵極電介質的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術節(jié)點的關注。對于Ge或GeOI CMOS...
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...
本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因...
二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對這些薄膜進行濺射蝕刻。 可以看出，當從鉭面積比超過50%的靶濺射時，鉭-二氧化硅金屬...
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