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硅中的各向異性濕法蝕刻工藝課堂4（下）
- 蝕刻(15030)
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各向異性導電膠原理 各向異性導電膠的工藝步驟
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466無線射頻接口的寬范圍柔性各向異性熱敏電阻
除了正溫度系數（PTC）熱敏電阻，柔性溫度傳感材料及傳感器的靈敏度相對較低，電阻溫度系數（TCR）通常低于100%?°C?1。
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墨?？萍汲晒χ苽潆p功能石墨烯氣凝膠 兼具柔性壓力傳感和高效油水分離功能
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智程半導體完成股權融資，專注半導體濕法工藝設備研發
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636至純科技：下半年訂單飆升，濕法設備市場領跑
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234詳解硅的晶面及應用
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RFID各向異性導電膠類型和可靠性
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液晶空間光調制器原理及公式
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429光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326
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SDTR一種薄膜面內各向異性熱導率的測量方法
SDTR一種薄膜面內各向異性熱導率的測量方法近年來，隨著半導體行業的迅猛發展，半導體元件的體積急劇減小，對芯片或薄膜材料的熱物性探究至關重要，這樣給予針對超小尺寸的熱物性探測技術提供了發展需求，而其
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針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究
技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294
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基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制
GaN和相關合金由于其優異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188
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半導體工藝中的蝕刻工藝的選擇性
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。
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關于PCB印制電路板復合材料微小孔加工技術之機械鉆削
復合材料電路板脆性大、硬度高，纖維強度高、韌性大、層間剪切強度低、各向異性，導熱性差且纖維和樹脂的熱膨脹系數相差很大，當切削溫度較高時，易于在切削區周圍的纖維與基體界面產生熱應力；當溫度過高時，樹脂熔化粘在切削刃上，導致加工和排屑困難。
2023-12-08 15:29:32223
223PCB的蝕刻工藝及過程控制
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45263
263基于電感耦合反應離子刻蝕的氮化鎵干蝕研究
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發光二極管和藍光激光二極管。由于它們優異的化學和熱穩定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
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半導體制造之光刻工藝講解
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
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什么是四探針測量技術？ 什么是渦流測量技術？
在半導體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導電連接。
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氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241
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脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述
但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406
406等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188
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Bumping工藝流程工作原理 光刻工藝原理和流程
Bumping工藝是一種先進的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響Bumping的質量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關鍵。
2023-10-23 11:18:18475
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等離子刻蝕工藝技術基本介紹
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788
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PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553
553基于Cl2/BCl3電感偶聯等離子體的氮化鎵干蝕特性
蝕刻技術相比，干法蝕刻技術可以提供各向異性的輪廓、快速的蝕刻速率，并且已經被用于限定具有受控輪廓和蝕刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32244
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關于氮化鎵的干蝕刻綜述
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319
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降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術
銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281
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PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細節問題
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670
670GB/T 41967-2022 各向異性釹鐵硼永磁粉
2023-09-15 09:43:52
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0淺談PCB蝕刻質量及先期存在的問題
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474
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低能量電子束曝光技術
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292
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pcb蝕刻是什么意思
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
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SD2315高精度磁編碼器
SD2315是 基于各向異性磁阻（AMR）技術高精度磁編碼器芯片。相比于傳統霍爾傳感器，AMR角度傳感器由于工作在飽和區，降低了對磁場的要求，安裝要求簡單易操作。SD2315廣泛適用于各類電機
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什么是各向異性刻蝕？
各向異性刻蝕是一種減材微加工技術，旨在優先去除特定方向的材料以獲得復雜且通常平坦的形狀。濕法技術利用結構的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。 然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質
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407使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導制造與蝕刻材料對非晶硅進行納米級厚度控制
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
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可持續濕法工藝解決方案
來源：《半導體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經驗，Siconnex已成長為可持續濕法工藝設備的領先供應商。可持續發展和環境健康是我們的基因
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高性能超高鎳層狀正極的多尺度晶體場效應
通常認為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級顆粒內隨機取向的初級晶粒的晶間裂紋密切相關，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機械應變的積累引起的。
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刻蝕工藝流程和步驟 酸性蝕刻和堿性蝕刻的區別
刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
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ADA4570是一款調節器
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磁光克爾效應測量系統
磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗
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使用X射線微層析技術顯示的昆蟲氣囊各向異性收縮
所用相機： Flash4.0 (C11440-22CU) 成像方法： X射線成像 相關設置： 能量14keV, 樣品-芯片距離50cm，ROI 2048×700，曝光 時間2ms,轉速360°每秒 # 詳細描述 來自擺動源的白光束通過由液氮冷卻的Si(111)或Si(311)雙晶單色器而單色化。輸出X射線的能量范圍為8-72.5keV，具有的能量分辨率小于0.5%。安裝復合狹縫以限制單色光束的尺寸。一個電離室設置在下游，以監測實驗過程中的通量。單色光束具有45mm(H)×5mm(V)的全視場。動態X射線顯微技術(SR-μCT)系統的關鍵要素是基于
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結構參數對各向異性磁電阻（AMR）磁場傳感器性能的影響
鎳鐵（NiFe）合金具有較強的各向異性磁電阻效應、較高的居里溫度、易于實現與電路集成以及較低的制作成本等優點，成為開發磁電阻傳感器的首選材料。
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半導體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
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利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
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遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
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KMA36位置傳感器將其連接到使用可配置IC通信的Grove兼容擴展端口的系統。 將磁阻元件同模數轉換器和信號處理功能一起置于一個標準的小型封裝內。傳感器以5V的外部電壓工作。通過使用各向異性磁阻 (AMR) ，KMA36 能夠以非接觸方式確定外部磁鐵360°范圍內的磁場角度。
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KMXP5000磁柵尺傳感器在石油石化的應用
KMXP5000磁柵尺傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應（AMR 效應）。這些傳感器提供兩種不同的DFN封裝，可用于多個定位選項。這些封裝可以輕松集成到自動裝配過程中。
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半導體工藝裝備現狀及發展趨勢
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
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硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻
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如何在蝕刻工藝中實施控制？
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575
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熱環境中結晶硅的蝕刻工藝研究
微電子機械系統（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術來實現尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現有的表面加工技術，目前大多數的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352
352G-MRCO-052位移傳感器原理
，KMXP 傳感器提供比常用的霍爾傳感器更高的精度，設計為在包括高溫在內的嚴苛環境中提供可靠和準確的測量。G-MRCO-050傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應（AMR
2023-05-18 17:25:04314
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高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用
蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700
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G-MRCO-016磁阻角位移傳感器
G-MRCO-016磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應的磁場傳感器。例如，G-MRCO-016磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-016磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋，每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:380
0G-MRCO-015磁阻傳感器
G-MRCO-015磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應的磁場傳感器。例如，KMT32B磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-015磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋，每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:040
0硅晶片的酸基蝕刻：傳質和動力學效應
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584
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PCB主板不同顏色代表什么意思？
其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699
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《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118
118工業泵在半導體濕法腐蝕清洗設備中的應用
【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性?！娟P鍵詞
2023-04-20 11:45:00823
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首次MoS?層間原位構建靜電排斥實現超快鋰離子傳輸
高理論容量和獨特的層狀結構使MoS?成為一種很有前途的鋰離子電池負極材料。然而MoS?層狀結構的各向異性離子輸運和其較差的本征導電性，導致差的離子傳輸能力。
2023-04-13 09:23:09684
684干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004
1004濕式半導體工藝中的案例研究
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408
408多晶硅蝕刻工藝講解
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節點。從45nm節點后，雙重圖形化技術已經應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節點的繼續縮小，MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續縮小遇到了困難，IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452
2452PCB加工的蝕刻工藝
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
886步進電機的技術要點之永久磁鐵
2) Nd-Fe-B磁鐵 3) 鋁鎳鈷磁鐵 4)粘接釹鐵硼磁鐵3 . 各向同性與各向異性磁鐵 4. PM型與HB型轉子使用磁鐵的差異 前言 基本信息 名稱 描述說明 教材名稱 步進電機應用技術 作者 坂
2023-03-23 10:42:580
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工商網監
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