音頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADAU7112的產(chǎn)品特性及應(yīng)用范圍

ADAU7112 將立體聲脈沖密度調(diào)制 （PDM） 比特流轉(zhuǎn)換為一個(gè)脈沖編碼調(diào)制 （PCM） 輸出流。PDM 數(shù)據(jù)的源可以是兩個(gè)麥克風(fēng)或其他 PDM 源...

2020-12-02 標(biāo)簽：芯片晶圓模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1209 0

WD4000系列晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)：全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè)，保障晶圓制造工藝質(zhì)量

晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶...

2024-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 1206 0

半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新案例

當(dāng)技術(shù)優(yōu)化的整體方法包括芯片設(shè)計(jì)、封裝和產(chǎn)品級(jí)相互依賴(lài)性時(shí)，產(chǎn)品、設(shè)計(jì)、封裝、工藝和器件相互依賴(lài)性的整體方法，以提高研發(fā)效率和價(jià)值創(chuàng)造

2023-10-07 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 1204 0

DS1991L多密鑰iButton替代方案

DS1991L多密鑰iButton是由Maxim的6英寸晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，該晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)工藝已過(guò)時(shí)，且不再使用。DS1991L所提供的密碼保護(hù)已不再是數(shù)據(jù)安全...

2023-02-14 標(biāo)簽：Maxim晶圓暫存器 1201 0

前端工藝的概覽和氧化工藝的區(qū)別

無(wú)可否認(rèn)，不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身，都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠(chǎng)的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...

2023-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 1193 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiGe 1192 0

背面供電選項(xiàng)：一項(xiàng)DTCO研究

來(lái)源：IMEC Imec強(qiáng)調(diào)了背面供電在高性能計(jì)算方面的潛力，并評(píng)估了背面連接的選項(xiàng) 背面供電：下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者 背面供電打破了在硅晶圓正面處...

2023-09-05 標(biāo)簽：芯片晶圓供電 1192 0

金屬布線(xiàn)的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿(mǎn)晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM晶圓晶體管 1190 0

【SPEA飛針應(yīng)用】半導(dǎo)體探針卡測(cè)試

探針卡是晶圓功能驗(yàn)證測(cè)試的關(guān)鍵工具，通常是由探針、電子元件、線(xiàn)材與印刷電路板（PCB）組成的一種測(cè)試接口，主要對(duì)裸die進(jìn)行測(cè)試。探針卡上的探針與芯片上...

2024-05-11 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體晶圓 1190 0

半導(dǎo)體工業(yè)（五）芯片密度的進(jìn)步

減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個(gè)好處。在電路性能水平上，有一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)就是可以增加電路運(yùn)行速度。

2023-10-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管半導(dǎo)體芯片 1187 0

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1181 0

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)的生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)

SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)...

2024-11-14 標(biāo)簽：晶圓功率器件SiC 1176 0

晶圓需要拋光的原因分析

　光刻機(jī)的鏡頭要實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的成像分辨率，就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑（Numerical Aperture），但這同時(shí)會(huì)導(dǎo)致焦深（DoF）的下降，焦深是指...

2024-01-22 標(biāo)簽：晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1175 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 1170 0

AI助力設(shè)計(jì)工藝遷移，破解“缺芯”難題

造成芯片短缺的原因十分復(fù)雜，其中之一在于制造產(chǎn)能的缺口不均。傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)的制造產(chǎn)能明顯不足，但12nm、16nm等工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能卻仍有富余，因此前者受到...

2023-05-25 標(biāo)簽：芯片晶圓AI 1165 0

為什么需要封裝設(shè)計(jì)？封裝設(shè)計(jì)做什么？

做過(guò)封裝設(shè)計(jì)，做過(guò)PCB板級(jí)的設(shè)計(jì)，之前和網(wǎng)友有過(guò)交流，問(wèn)題是：為什么要封裝設(shè)計(jì)？信號(hào)完整性體系從大的方面來(lái)看：芯片級(jí)->封裝級(jí)->板級(jí)。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路PCB板晶圓 1158 0

如何識(shí)別和防止7nm工藝失效

器件的良率在很大程度上依賴(lài)于適當(dāng)?shù)墓に囈?guī)格設(shè)定和對(duì)制造環(huán)節(jié)的誤差控制，在單元尺寸更小的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上就更是如此。

2020-08-26 標(biāo)簽：晶圓7nm工藝泛林集團(tuán) 1153 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶片 1147 0

4英寸半絕緣自支撐氮化鎵晶圓片量產(chǎn)

由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 1146 0