半導體行業之晶體生長和硅片準備（二）

晶體材料可能有兩層原子結構。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。

2023-12-22 標簽：半導體晶圓砷化鎵 1103 0

半導體行業之晶體生長和硅片準備（一）

在接下來的一個章節里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續如何將其轉化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產拋光晶圓的過程(晶體...

2023-12-18 標簽：多晶硅半導體晶圓 1100 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導體制造流程中，晶圓測試是確保產品質量和性能的關鍵環節。與此同時封裝過程中的缺陷對半導體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進行介紹。

2024-11-04 標簽：半導體晶圓碳化硅 1092 0

半導體晶圓清洗工藝技術

溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發生器，用于選擇性 應用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被...

2022-03-31 標簽：半導體晶圓工藝 1089 0

智能刻蝕帶來突破性的生產力提升

增加電路密度而不必移動到新技術節點的優勢使得垂直擴展成為半導體行業的強大驅動力。但它也有一系列挑戰，其中關鍵的挑戰便是刻蝕能力。

2022-01-24 標簽：NAND晶圓泛林集團 1087 0

MEMS工藝的部分關鍵技術

SOI是Silicon On Insulator的縮寫，是指在氧化膜上形成了單晶硅層的硅晶圓。已廣泛應用于功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化...

2024-04-29 標簽：傳感器mems晶圓 1079 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因為 C...

2024-11-15 標簽：晶圓工藝光刻 1078 0

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應用

引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測硅片表面金屬雜質污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實驗顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等...

2021-12-28 標簽：晶圓納米晶片 1077 0

MAX3108 UART的波特率編程

MAX3108是一款高性能通用異步收發器（UART），采用晶圓級封裝（WLP），具有許多硬件高級特性，從單獨的128字發送和接收FIFO到廣泛的硬件介導...

2023-02-20 標簽：收發器寄存器晶圓 1075 0

互連在先進封裝中的重要性

互連技術是封裝的關鍵和必要部分。芯片通過封裝互連，以接收功率、交換信號并最終進行操作。由于半導體產品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也...

2023-11-23 標簽：晶圓圖像傳感器封裝技術 1071 0

半導體晶圓測試中的關鍵之“手”，看陶瓷基板作用何處？

近年來，隨著半導體制程技術的不斷提升，工藝節點不斷縮小，單個芯片上有超過十億個晶體管。先進制程的發展伴隨著半導體工業對于良品率(Yield)和成本的追求...

2024-12-19 標簽：測試半導體晶圓 1067 0

干法蝕刻異向機制的原理解析

無偏差的刻蝕過程，我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程，我們可以將其拆解為幾個基本環節。首先，第一個環節是刻蝕氣體的處理，這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標簽：晶圓刻蝕 1061 0

imec與Pulsify Medical打造用于心臟監測的概念驗證醫療貼片

通過向人體發射高頻聲波并將其回波轉換為電信號，可以構建體內實時圖像。通過超聲成像對子宮內的胎兒進行非侵入性可視化已得到廣泛認可。除了醫學成像，超聲波還可...

2023-09-11 標簽：顯示器晶圓貼片 1044 0

從SiP到Si3P未來發展研究

隨著現代電子技術和系統復雜度的不斷提高，電子裝備越來越小型化和高集成化，而半導體特征尺寸逐漸逼近物理極限，芯片的設計難度和制造成本明顯提升，傳統封裝技術...

2023-10-17 標簽：芯片晶圓SiP 1027 0

集成編碼器的真正單晶圓全新一代OOK發射SOC芯片—XL117PS介紹

XL117PS 是集成編碼器的真正單晶圓全新一代 OOK 發射 SOC 芯片，可完全兼容 1527編碼產品，支持常用的315Mhz/433.92Mhz 頻率

2024-04-15 標簽：電動車編碼器晶圓 1024 0

功率器件電鍍的原理和步驟

在功率半導體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關鍵工序。目前，我國中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術短板，...

2025-06-09 標簽：晶圓電鍍功率器件 1024 0

雷卯大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件對比

雷卯有大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件。從外形看都一樣，里面的晶圓參數不同。

2024-03-19 標簽：ESD晶圓靜電保護 1023 0

氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法

目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生...

2023-11-24 標簽：半導體晶圓晶圓蝕刻 1018 0