半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導體DRAM晶圓 1146 0

4英寸半絕緣自支撐氮化鎵晶圓片量產

由于同質外延結構帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質...

2023-02-14 標簽：晶圓晶體管氮化鎵 1146 0

量產GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標簽：半導體晶圓功率器件 1124 0

晶圓外緣為什么不利用-邊緣去除法

觀察矽晶圓的外緣，可以發現有如圖4-6-1所示的邊緣磨邊加工。此種針對外緣進行磨邊的加工，一般稱為“導角（beve-ling）。

2024-05-11 標簽：半導體晶圓 1113 0

化學金沉積過程的研究綜述

化學鍍鎳和銅工藝的應用對導體和絕緣體的金屬化技術產生了深遠的影響。印刷電路工業實際上是建立在無電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導體的能力上的；同時，...

2023-04-21 標簽：電流半導體晶圓 1110 0

基于TSV的3D-IC關鍵集成技術

3D-IC通過采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術，實現了不同層芯片之間的垂直互連。這種設計顯著提升了系統集成度，同時有效地...

2025-02-21 標簽：芯片IC晶圓 1103 0

倒裝芯片，挑戰越來越大

正在開發新的凸點（bump）結構以在倒裝芯片封裝中實現更高的互連密度，但它們復雜、昂貴且越來越難以制造。

2023-05-23 標簽：晶圓封裝內存 1098 0

扇出型晶圓級封裝技術的優勢分析

扇出型晶圓級封裝技術的優勢在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強的芯片封裝結構，讓系統級封裝（System in a Packag...

2023-10-25 標簽：英飛凌芯片晶圓 1097 0

集成電路制造中的劃片工藝介紹

本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰。

2025-03-12 標簽：集成電路晶圓工藝 1094 0

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 標簽：晶圓光刻膠 1069 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層，它的熱穩定性和界面態都非常好。

2024-11-05 標簽：晶圓工藝光刻 1067 0

晶圓中scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)的差異

本文介紹了在晶圓制造過程中，scribe line（劃片線）和saw line（鋸片線）兩個的概念和差異。 在晶圓制造過程中，scribe line（劃...

2025-01-03 標簽：芯片晶圓 1064 0

封裝功能設計及基本工藝流程

在晶圓生產工藝的結尾，有些晶圓需要被減薄（晶圓減薄）才能裝進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（...

2023-11-29 標簽：芯片晶圓芯片封裝 1063 0

什么是線刻蝕 干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標簽：晶圓刻蝕 1061 0

一種新型的硅基亞波長光柵耦合器設計

近日，天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室與深圳大學合作，設計開發了一種新型的硅基亞波長光柵耦合器，可以同時實現超高再現性、超寬帶寬、超低反...

2024-07-23 標簽：光柵晶圓耦合器 1052 0

半導體晶圓清洗工藝技術

溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發生器，用于選擇性 應用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被...

2022-03-31 標簽：半導體晶圓工藝 1050 0