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      標(biāo)簽　>　刻蝕

      刻蝕

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      刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 ［1］ 相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

      文章：201個 瀏覽：13398次 帖子：0個

      刻蝕資訊

      濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

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      2022-11-11 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.8萬 0

      半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化機遇來臨，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作

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      2020-12-29 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.1萬 0

      詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

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      摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

      2020-12-30 標(biāo)簽：碳化硅刻蝕 1.0萬 0

      國產(chǎn)刻蝕機很棒，但造芯片只是“配角”

      近來有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評論說“中國芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖...

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      干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

      干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。

      2022-11-10 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 8060 0

      干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

      灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

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      鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究

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      2018-03-06 標(biāo)簽：刻蝕集成電路制造 7288 0

      半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam ResearchQ3營收創(chuàng)紀(jì)錄 三分之一營收來自中國

      4月21日，半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam Research發(fā)布2021第三季度財報，營收創(chuàng)下新高，達(dá)到38.5億美元，高于此前37.2億美元的預(yù)期，達(dá)到單季的最...

      2021-04-22 標(biāo)簽：刻蝕營收Lam Research 6677 1

      隨著MEMS研究的深入，電化學(xué)刻蝕研究顯得越來越重要

      長期以來 ,微加工研究主要是針對微電子工業(yè)的應(yīng)用而開展的 ,其加工對象大都是半導(dǎo)體材料 ,如對 Si、Ge、GaAs 及各種金屬氧化物膜等材料的刻蝕 ,...

      2020-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 6196 0

      中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長57.31%

      ? ? ? 中微公司2022年 第一季度財務(wù)報告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財務(wù)報告，摘要如下：...

      2022-04-28 標(biāo)簽：MOCVD刻蝕中微公司 5492 0

      臺積電將購入18臺EUV光刻機！

      2019-02-16 標(biāo)簽：臺積電刻蝕 4896 0

      【芯聞精選】八寸晶圓廠狂漲價，硅片單價突破 1000 美元創(chuàng)十年新高；中微公司刻蝕機已進入國際客戶5nm產(chǎn)線

      產(chǎn)業(yè)新聞 ? 臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目昨日簽約 ? 4月6日，臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目簽約儀式在秦皇島經(jīng)...

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      2022-02-15 標(biāo)簽：裝置碳化硅刻蝕 3641 0

      氧化硅刻蝕速率的提高方法

      氧化硅刻蝕速率的提高方法

      摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時。主要的含氟...

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