刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

基于ICP的金屬鈦深刻蝕，它的實(shí)驗(yàn)流程是怎樣的

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濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。

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各種光刻技術(shù)你都了解嗎？

當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)到5nm時(shí)，DUV和多重曝光技術(shù)的組合也難以滿足量產(chǎn)需求了，EUV光刻機(jī)就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應(yīng)用需求的5nm芯...

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TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...

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一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標(biāo)簽：石墨烯刻蝕 2814 0

KOH硅濕化學(xué)刻蝕—江蘇華林科納半導(dǎo)體

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近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案，旨在為芯片制造商提供先進(jìn)的功能和可擴(kuò)展性，以滿足未來的創(chuàng)新需求。泛林集團(tuán)開創(chuàng)性的Sense...

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半導(dǎo)體先進(jìn)制程加速，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備有望突破國(guó)際壟斷

在芯片制造中，“光刻”和“刻蝕”是兩個(gè)緊密相連的步驟，也是非常關(guān)鍵的步驟?！肮饪獭本拖喈?dāng)于用投影的方式把電路圖“畫”在晶圓上。注意，這個(gè)時(shí)候，電路圖其實(shí)...

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此前，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了一項(xiàng)華為新的專利。反射鏡、光刻設(shè)備及其控制方法在極紫外光刻及核心技術(shù)上取得突破性進(jìn)展。 4月，哈工大宣布實(shí)現(xiàn)了“電能轉(zhuǎn)化等離子...

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泛林集團(tuán)推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實(shí)現(xiàn)3D

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2022-03-22 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2405 0

智程半導(dǎo)體完成股權(quán)融資，專注半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研發(fā)

智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去...

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PFA管用途之一：供酸系統(tǒng)（CDS）

主要用途：設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能...

2022-11-24 標(biāo)簽：cds 刻蝕 2173 0

改善刻蝕均勻性的技術(shù)

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采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

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2024-09-19 標(biāo)簽：刻蝕 2035 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

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2022-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 2011 0

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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