基于PVD 薄膜沉積工藝
PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發靶材材料來產生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應用材....
什么是Hybrid Bonding？Hybrid Bonding是銅銅鍵合嗎？
在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(solder bump....
TSV關鍵工藝設備及特點
TSV 是目前半導體制造業中最為先進的技術之一，已經應用于很多產品生產。實現其制程的關鍵設備選擇與工....
DISCO：一家少被提及的半導體設備巨頭
在深入探討這些主題之前，讓我們簡要介紹一下公司的歷史以及他們獨特的文化。在專注于半導體之前，DISC....
DRAM的電容技術發展歷程
通過控制溫度來控制晶相，將非晶AlO、T相ZrO制作為新型介質薄膜。因為主要貢獻點是EOT很低的新型....
一文解讀DRAM的9大刻蝕技術
在將晶圓制成半導體的過程中需要采用數百項工程。其中，一項最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓....
臺積電3nm FinFET工藝
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉移到具有 3 個柵極....
臺積電：未來十年的CMOS器件技術
添加更多的柵極（例如在 FinFET 中），將使其中的溝道被限制在三個柵極之間，從而能夠將 Lg 縮....
志橙半導體：半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座
志橙半導體成立于2017年底，專注于為半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據稱是國內首家....
微導納米募集資金10億元將聚焦光伏、半導體兩大賽道
2019年、2020年和2021年，微導納米的營收分別為2．16億元、3．13億元和4．28億元；凈....
晶體管縮放：將FinFET擴展到5nm以上;啟用門全方位拐點
FinFET路線圖有三個重要的技術挑戰：翅片彎曲、高k金屬柵極（HKMG）和接口關鍵尺寸縮放以及源極....
海力士：引領High-k/Metal Gate工藝變革
柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成....
蔡司PROVE - 光掩膜量測解決方案
和晶圓制造工藝類似，圖形放置位置是光掩膜量測中相當重要的一部份。完整的芯片設計不僅對每一層光掩膜的特....
工商網監