功率變換系統(tǒng)（power conversion system，PCS）是與儲能電池組配 套，連接于電....

3D集成是實現(xiàn)多芯片異構(gòu)集成解決方案的關(guān)鍵技術(shù)，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回....

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研....

光伏逆變器拓撲概述及關(guān)鍵技術(shù)

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件....

IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結(jié)構(gòu)方案,

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便....

半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極....

碳化硅功率半導體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工....

晶片切割是半導體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同....

體二極管是MOS管中的一個重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此....

Chiplets（芯片堆疊）并不新鮮。其起源深深植根于半導體行業(yè)，代表了設計和制造集成電路的模塊化方....

摘要：隨著人們環(huán)保意識的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能....

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（....

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開....

為適應未來大功率高壓快充發(fā)展趨勢，主流車企及充電運營商已經(jīng)開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的....

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異性能，在眾多高端....

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和....

近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳....

自20世紀70年代全球爆發(fā)石油危機以來，太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視，光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....

逆變器在光伏系統(tǒng)中具有關(guān)鍵作用。

摘要：通過調(diào)節(jié)中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2....

“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設備以及安裝在其中的半導體元件。按功能劃分，有功率晶體管（M....

實現(xiàn)雙電源自動切換電路，其中利用了三個MOS管進行的電路設計。

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛....

為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設計了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、....

逆變器的分類方法很多，按照源流性質(zhì)可分為有源逆變器和無源逆變器，根據(jù)逆變器輸入交流電壓相數(shù)可分為單相....

摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體....