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芯長征科技

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科力微電子產品在便攜式儲能的應用

? 面向消費者的便攜式儲能是儲能市場新的藍海分支,一方面行業正處于高速發展期,另一方面產品具有消費品....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-15 14:59 ?598次閱讀
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VDMOS技術概述和特點

在過去的二十年間,MOSFET作為開關器件發展迅速。然而,由于MOSFET的通態功耗較高,導通電阻受....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-15 14:50 ?1363次閱讀

超結MOSFET的結構和優勢

在我們進入超結MOSFET的細節之前,我們先了解一些背景知識。
的頭像 芯長征科技 發表于 10-15 14:47 ?1240次閱讀
超結MOSFET的結構和優勢

使用并聯功率MOSFETS的要點和范例

引言:雙極晶體管由于是基極電流驅動,因此電流平衡容易被基極-發射極電壓VBE的波動所破壞,使得并聯連....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-15 14:30 ?1471次閱讀
使用并聯功率MOSFETS的要點和范例

MOSFET在消費類電子產品的應用

PC電源是一個無工頻變壓器的四路開關穩壓電源,其中涉及整流、高頻變化和脈寬調制技術;其具有體積小、效....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:54 ?604次閱讀
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如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

當前,在國際節能環保的大趨勢下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發電等領域迅速發....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:31 ?735次閱讀
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TOLL封裝MOS管的特點和使用注意事項

TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:29 ?1640次閱讀

功率MOSFET在電池管理充放電系統中的應用

功率MOSFET需要在鋰離子電池組內部和輸出負載之間串聯。同時,專用IC用于控制MOSFET的開啟和....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:21 ?1787次閱讀
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VDMOS器件關鍵參數介紹

如圖1所示,VDMOS結構就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區和N+型區,在硅表面P型區和N+....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:16 ?1765次閱讀
VDMOS器件關鍵參數介紹

IGBT短路耐受時間的重要性

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時間(SCWT:Short Circuit Withstand ....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:12 ?867次閱讀
IGBT短路耐受時間的重要性

米勒平臺造成的對管開啟

在MOS管的上下橋驅動中,有這種現象。如下圖,一個管子處在米勒平臺的時候,會給另一個管子的Vgs電壓....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:08 ?737次閱讀
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芯片制造全流程簡述

? “兵馬未動,糧草先行”,各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠征。....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:04 ?2600次閱讀
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逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 17:00 ?1519次閱讀
逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

Buck電路設計應用

Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器,其拓撲結構如下所示。Buck 電路輸....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 16:58 ?1201次閱讀
Buck電路設計應用

buck-boost拓撲電路的工作過程

從上述分析可以看出,buck-boost拓撲輸入Ui和輸出Uo正負方向相反。當把電感L等效為兩個電感....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 16:47 ?2495次閱讀
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為什么PMOS作為高側開關更容易實現

高側開關就是負載是接地的,開關相對于負載處于高電位,如下圖所示。如果將開關和負載的位置互換,就是低側....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 16:43 ?2857次閱讀
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Buck電路和Boost電路的工作原理

Buck電路,也就是常說的降壓電路,為直流進-直流出。電路沒有變壓器,輸入輸出公共一個地。下圖為Bu....
的頭像 芯長征科技 發表于 10-08 16:22 ?6287次閱讀
Buck電路和Boost電路的工作原理

芯長征科技集團新能源電子封測產線正式通線!

2024年5月9日,芯長征科技集團(簡稱“芯長征”)新能源電子封測產線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....
的頭像 芯長征科技 發表于 05-10 14:08 ?1822次閱讀
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江蘇芯長征微電子集團股份有限公司IGBT模塊成功通過UL認證

近日,芯長征在UL認證專業機構安可捷協助下,成功完成IGBT模組的UL認證流程,為公司的產品研發與市....
的頭像 芯長征科技 發表于 04-16 09:51 ?1521次閱讀
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車規芯片與非車規芯片基本性能對比

功率型芯片于控制單元中主要負責具有高功率負載的控制電路,是可實現系統中電力控制與管理的關鍵零件,由于....
的頭像 芯長征科技 發表于 04-09 12:19 ?4381次閱讀
車規芯片與非車規芯片基本性能對比

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區別?

三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區域普通....
的頭像 芯長征科技 發表于 04-09 11:15 ?17010次閱讀
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光伏領域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領域IGBT市場規模將達73億

功率半導體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是....
的頭像 芯長征科技 發表于 04-09 10:59 ?2617次閱讀
光伏領域IGBT市場飛速增長 2025年光伏領域IGBT市場規模將達73億

剖析晶圓級封裝結構的構造原理

其中,有一個插圖,知識星球里有朋友不明白每層的構造原理,這里我來剖析一下。
的頭像 芯長征科技 發表于 04-03 11:43 ?2404次閱讀
剖析晶圓級封裝結構的構造原理

車規級芯片和消費類芯片的區別

汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬,根據不同的安裝位置等有不同的需求,但一般都要高于民用產品的要求。
的頭像 芯長征科技 發表于 04-02 11:33 ?2439次閱讀
車規級芯片和消費類芯片的區別

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應用對比分析

碳化硅 MOSFET 具有導通電壓低、 開關速度極快、 驅動能力要求相對低等特點, 是替代高壓硅MO....
的頭像 芯長征科技 發表于 04-01 11:23 ?3229次閱讀
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除碳可提高GaN電子遷移率?

據日本研究人員報告,通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性....
的頭像 芯長征科技 發表于 03-13 10:51 ?1492次閱讀
除碳可提高GaN電子遷移率?

如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發呢?

為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A....
的頭像 芯長征科技 發表于 03-13 10:34 ?2666次閱讀
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晶圓鍵合工藝流程與關鍵技術探討

1:制造先進的啟動晶片(SOI)的方法。 2:作為一種創建復雜三維結構和腔體的方法,以創造設備....
的頭像 芯長征科技 發表于 03-06 10:45 ?676次閱讀
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三電平逆變器的基本工作原理介紹

三電平逆變器基本介紹
的頭像 芯長征科技 發表于 02-26 10:09 ?3849次閱讀
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外延層在半導體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿足日益發展的各種半導體器件制作的需要。因此,1959年末開發了薄層單晶材料生長技....
的頭像 芯長征科技 發表于 02-23 11:43 ?1665次閱讀
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