如今全球的汽車已經(jīng)進入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五....

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐t....

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....

在電子工程領(lǐng)域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....

功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進行調(diào)控實現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，....

碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的....

眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將....

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步，并可能....

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工....

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開關(guān)應(yīng)....

到目前為止，第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識是，第三方芯粒市場將在某個時候蓬勃發(fā)展....

碳化硅（SiC）材料被認為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....

英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英....

更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....

MOSFET的并聯(lián)使用

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜....

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如....

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱：集成....

摘 要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模....

近年來，我國已成為全球發(fā)電量第一的大國。電能一直是人類消耗的最大能源，是目前最為重要的一種能源形式之....

一是可以直接利用，特別是在偏遠或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW....

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....

應(yīng)對網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計的一個組成部分，并且更加昂貴和復(fù)雜。

現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....

自從IBM于20世紀60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip....

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久....

此次，我們將報道旨在實現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢。

因為汽車電動化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來襲，全球性的汽車芯片缺貨，以及國內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....