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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • ChatGPT變聰明了嗎?如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj2023-09-09 08:16

    ChatGPT變聰明了嗎?如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj
    ChatGPT IGBT 器件 1483瀏覽量
  • ChatGPT真的懂IGBT嗎2023-09-04 16:26

    ChatGPT是部萬寶全書,請鑒定一下她是否缺個角,看看她是在一本正經地胡說八道,還是一位真知灼見的專家。本期是和ChatGPT辯論的第
    ChatGPT IGBT 電阻 780瀏覽量
  • 具備出色穩定性的CoolSiC™ MOSFET M1H2023-08-25 08:16

    2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區域8月29日-31日,我們現場不見不散!點擊上方圖片,了解更多本次展會上,英飛凌將展出豐富的SiC系列產品,包括CoolSiCMOSFET以及相應的驅動評估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三電
    MOSFET SiC 電壓 991瀏覽量
  • 談談SiC MOSFET的短路能力2023-08-25 08:16

    談談SiC MOSFET的短路能力
    IGBT MOSFET SiC 電壓 短路 2564瀏覽量
  • 如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅動SiC MOSFET2023-08-17 09:27

    2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區域碳化硅(SiCMOSFET)和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用,但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER1
    IC MOSFET SiC 驅動 1659瀏覽量
  • 來自英飛凌開發者社區的10問10答——IGBT篇2023-08-02 08:17

    Q在IGBT器件的開通過程中,柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的?A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數據手冊中如圖1所示,給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區域。
    IGBT 電壓 英飛凌 2077瀏覽量
  • 基于IM828-XCC的高速電機驅動器設計2023-07-31 22:55

    隨著現代機床向高速、高精度方向發展,對機床主軸的技術要求越來越高。電主軸作為高速機床的重要組成部件之一,因其轉速高、體積小和優異的動態性能等特性,可有效提高機床的動態平衡,避免了振動和噪聲。主軸電機放置在機床的主軸單元內,直接驅動負載。因此,簡化了傳統的機械驅動結構,實現了“零驅動”。由于電主軸的廣泛應用,推動著電機主軸系統向高精度、高速、低能耗、高效率、高
    機床 電機 驅動器 高速 2249瀏覽量
  • 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅動器IC實現更好的電池供電設計(第一部分)2023-07-31 22:55

    作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯:趙佳MOTIX三相柵極驅動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員,該品牌通過可擴展的產品組合提供低壓電機控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅動器IC,采用5x5mm²QFN-32封裝,帶有熱效率高的裸露功率焊盤,并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件
    IC 供電 電池 驅動器 1005瀏覽量
  • 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅動器IC實現更好的電池供電設計(第二部分)2023-07-31 22:54

    作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯:趙佳6ED2742S01Q是一款用于電池供電應用的高性價比、易于使用的柵極驅動器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的寬工作電壓范圍,是12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅動器解決方案。這兩種強大的保護和電流檢測方案使系統設計人員能夠為MOSFET逆變級和
    IC 電池 驅動器 838瀏覽量
  • 200kW儲能用EasyPACK™ 3B三電平模塊2023-07-31 17:56

    新品200kW儲能用EasyPACK3B三電平模塊F3L225R12W3H3_B11NPC1三電平EasyPACK3B模塊采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二極管。它為ESS雙向功率變換進行了優化,兩個并聯模塊,可以實現200千瓦1500VDC功率變換。相關器件:F3L225R12W3H3_B11產品特點采用PressFIT技術的E
    三電平 儲能 模塊 2914瀏覽量