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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 一步步糾正關于SiC MOSFET短路認知誤區2023-11-06 08:14

    本期是和ChatGPT辯論的第五回合,英飛凌趙工出場了(第四回合回顧)。趙工內心OS:往期雖然ChatGPT有時表現得可圈可點,但有時也不知所云。都說人工智能模型需要訓練,它會自我學習迭代。不如今天來刻意訓練一下ChatGPT,或許就能獲得一只精通功率器件的AI,將來就能替我回復客戶問題?Q為什么SiCMOSFET的短路時間通常比IGBT短?SiCMOSFE
    MOSFET SiC 功率半導體 824瀏覽量
  • 英飛凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎2023-11-04 08:14

    11月2日,英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域,榮獲2023年Aspencore電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA)“年度高性能被動/分立器件”(HighPerformancepassive/DiscreteDevicesoftheYear!)獎項,再次展
    IGBT 電子設備 英飛凌 667瀏覽量
  • OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析2023-11-03 08:14

    應用背景隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升,車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備,也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器,電源類OBC產品復雜度高,如何實現其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優化與平衡,一直是OBC不斷技術迭代與產品革新的方向。在上述OBC與可靠性的背景下,針對車
    OBC PFC 功率器件 1252瀏覽量
  • 商業、建筑和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接2023-10-28 08:14

    作者簡介作者:OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻譯:ZhaoKai/摘要/今天,功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統的熱阻,前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的T
    半導體 封裝 焊接 1335瀏覽量
  • 人機大戰之如何計算IGBT壽命——ChatGPT越戰越勇2023-10-19 08:14

    本期是和ChatGPT辯論的第四回合(第三期回合回顧),本期ChatGPT大顯神威,抗住了資深FAE的連環追問,答案有模有樣。
    ChatGPT IGBT 芯片 1798瀏覽量
  • NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關邏輯2023-10-13 08:14

    NPC2三電平拓撲因為其效率高,諧波含量低,在光伏逆變器設計中應用非常廣泛。由下圖可以看到,NPC2由四個開關管構成,包含豎管T1/T4,橫管T2/T3。在市電異常或者逆變器系統故障時,逆變器是否需要特殊的開關邏輯,對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢?我們以橫管T2/3采用50A650VH5IGBTIKW50N65H5,豎管T1/4為40A1200VS6I
    保護開關 光伏 逆變器 1709瀏覽量
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場2023-10-12 08:14

    基于碳化硅(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢,為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日,英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件,用于提升電動汽車充電站的效率。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁PeterWawe
  • 熱泵及其諧波電流解決方案2023-09-23 08:16

    1熱泵簡介熱泵,英文heatpump,它有2個定義,定義1:從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環設備。定義2:以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以,熱泵廣泛用于冬天取暖,產生熱水,工業烘干,溫室養殖等。簡單講,熱泵就是一個能量的搬運工,對于用戶而言,花了一份電費,獲得了四份甚至更多的熱量,這多出來的熱
    電流 裝置 設備 826瀏覽量
  • IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因?2023-09-16 08:32

    IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因?
    IGBT 器件 電壓 4450瀏覽量
  • 搭載1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度2023-09-14 08:16

    繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片,并將其應用在PrimePACK模塊中,再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標應用領域:1200VP7模塊首發型號有以下兩個:相比于以前的IGBT4或IGBT5產品,新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封
    IGBT 封裝 芯片 英飛凌 1208瀏覽量