英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC™ MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統2024-03-12 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌 816瀏覽量

• 如何測量功率回路中的雜散電感2024-03-07 08:13

  

  本文支持快捷轉載影響IGBT和SiCMOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感 1574瀏覽量

• 最新IGBT7系列分立器件常見問題2024-03-05 08:17

  

  英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過多項可靠性測試以保證其長期使用穩定性，與電性能相關的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度R

  IGBT 分立器件 測試 823瀏覽量

• 零碳故事 | “2024年，以戰略的確定性迎接未來的挑戰”2024-02-27 08:13

  

  “英家零碳故事”2024年系列第一期正式上線，零碳工業功率事業部大中華區負責人于代輝先生就產業機遇和挑戰分享專業洞見，并深度解析零碳工業功率事業部業務增長制勝策略。(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）更多精彩觀點，請點擊觀看完整視頻zzzzzZzzz12023年半導體市場整體盤點“全球半導體市場整體放緩

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• T-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試2024-02-26 08:13

  

  上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術的發展和應用的需要，T型三電平應用越來越廣，我們開發了IGBT71200V62mm共發射極模塊，最大規格電流為800A，以及PrimePACK3+封裝的的共集電極模塊，規格為2400A/120

  IGBT 三電平 短路測試 2313瀏覽量

• IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！2024-02-23 08:13

  

  英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號選擇，總有一款適合你IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。H7

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• 英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲能市場， 共同推進綠色能源發展2024-02-19 13:15

  

  近日，英飛凌宣布與全球領先的能源互聯網核心電力設備及解決方案領軍企業盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業內領先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC，從而進一步提升儲能變流器的效率。在“雙碳”戰略和新能源浪潮帶動下，近年來，國內儲能市場保持持續快速發展。據工信部，20

  能源 英飛凌 驅動IC 785瀏覽量

• 普控科技11kW超高功率密度變頻器產品定義、設計和驗證2024-02-19 13:15

  

  全面介紹了滿足IEC61800-9變頻產品國際新能效標準的11kW重載型變頻器產品定義、設計和驗證，包括新一代IGBT7-FP50R12W2T7_B11的選型、整機效率、溫升、dv/dt、EMC等

  變頻器 電動機 能源 1126瀏覽量

• 為什么CIPOS™ Mini更偏向于使用IGBT芯片，而非Si MOSFET？2024-02-19 13:15

  

  英飛凌作為電力電子領域創新解決方案的領先企業，其取得的一大顯著成就是，開發了用于集成功率模塊（IPM）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。這些緊湊的電力電子器件有助于打造更加集成、可靠且高性價比的解決方案。本文探討了英飛凌在其CIPOSMini產品中，更偏向

  igbt芯片 MOSFET 半導體 590瀏覽量

• I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法2024-01-18 08:13

  

  雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了

  三電平 功率器件 電壓 5748瀏覽量