英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌零碳工業功率事業部：做更可靠的SiC解決方案提供商2024-01-10 08:13

  

  /導讀/英飛凌作為全球功率半導體市場絕對的領軍者，對全球“減碳”事業的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業功率控制事業部正式更名為零碳工業功率（GIP,GreenIndustrialPower）事業部，也可以看出英飛凌繼續加碼綠色能源市場的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業的關鍵產品，一直以來英飛凌對SiC產品在多個關鍵應用市場推進付出了諸多

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• 三電平電路原理及常見的電路拓撲分析2024-01-09 08:13

  

  隨著對逆變器的功率密度、效率、輸出波形質量等性能要求逐漸增加，中點鉗位型(NeutralPointClamped，NPC)的三電平拓撲逆變器已經得到了廣泛的應用，典型的三電平拓撲有二極管型NPC(NPC1)、ConergyNPC(NPC2)、有源NPC(ANPC)，如下圖所示。相對于傳統的兩電平逆變器，三電平逆變器有以下優點：1.輸出波形的諧波成分少：三電平

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• 英飛凌MOTIX™系列再添新成員：推出適用于電池供電應用的160V雙通道柵極驅動器IC2024-01-08 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布其適用于汽車和工業電機控制應用的MOTIX系列再添新成員。為進一步擴大這一先進產品系列的陣容，英飛凌推出了MOTIX雙通道柵極驅動器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160V的絕緣體上硅片（SOI）柵極驅動器均為

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• 全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模塊讓驅動器實現尺寸小型化和效率最大化2024-01-05 08:13

  

  許多應用都出現了采用更小IGBT模塊，將復雜設計轉移給產業鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP3IGBT模塊，用于改變目前采用兩電平和三電平拓撲結構、使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。這款新半導體器件將給諸多應

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• 英飛凌榮獲年度國際功率器件行業卓越獎2023-12-30 08:14

  

  英飛凌是全球半導體領域的領導者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅動器IC獲得年度國際功率器件行業卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選出行業中優秀的企業，助力行業蓬勃發展。英飛凌榮獲2023年度國際功率器件行業卓越獎160VMOTIX三相柵極驅動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新

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• 英飛凌EiceDRIVER™ IC用“芯”驅動新一代電動夾爪2023-12-29 08:14

  

  提起電動夾爪領域，大寰機器人占據著領先的市場地位。作為一家專注為工業智能制造場景提供核心零部件的高科技企業，大寰機器人推出的電動夾爪，憑借其自主研發的精密力控直驅技術，可代替人手在產線上完成各種動作。而如此精妙的機械手，背后來自于英飛凌的EiceDRIVER柵極驅動器的用“芯”驅動。從電源管理到核心驅動，大寰機器人推出的電動夾爪集結了來自英飛凌的多款產品，包

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• 英飛凌零碳之路——2023年度盤點（1）2023-12-29 08:14

  

  2023年，對于半導體行業而是言充滿挑戰和機遇的一年。根據英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領域貢獻了約13%的年度營收。根據Omdia9月公布的最新數據，英飛凌功率半導體器件繼續穩居全球第一，占據超20%的市場份額。今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道

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• 英飛凌入選全球最具可持續發展能力的企業2023-12-22 08:14

  

  英飛凌科技再次入選道瓊斯可持續發展全球指數（DowJonesSustainabilityWorldIndex），標普全球（S&PGlobal）日前在美國紐約公布了相關評估報告。負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart表示

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• 門極驅動正壓對功率半導體性能的影響2023-12-22 08:14

  

  /引言/對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。1對導通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型

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• 英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產品獎2023-12-21 08:14

  

  11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎，再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力和行業領先地位，得到了業內專家和客戶的認可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數、可靠性及壽命

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