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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 如何手動計算IGBT的損耗2023-01-12 22:11

    現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節省了不少精力,不得不說這對工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形:IGB
    IGBT 損耗 2109瀏覽量
  • SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎?2023-01-11 15:09

    眾所周知,“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代,英飛凌的溝槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代,市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞,而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”,就不會干別的了嗎?非也。因為SiC材料獨有的特性,Si
    MOSFET SiC 1671瀏覽量
  • 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-11 15:09

    探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
    二極管 MOSFET 2724瀏覽量
  • 新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板2023-01-11 15:09

    新品采用IPMIM3231500W電機驅動的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估,它的目標應用為三相電機驅動,大家電,如空調、泵、風扇和其他變頻驅動器。產品型號:EVAL-M1-IM323產品特點輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時最大12A的輸入電流220V
    驅動 電機 評估板 1165瀏覽量
  • 通過柵極驅動器提高開關電源功率密度2023-01-11 15:08

    作者:HubertBaierl,英飛凌科技市場總監校對:柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領域一樣,進步持續發生。目前,在3.3kW開關電源(SMPS)中,產品效率高達98%,1U結構尺寸,其功率密度可達100W/in³。這之所以可以實現是因為我們在圖騰柱PFC級中明智地選擇了超結(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS),碳化硅(SiC)MOSF
    電源 驅動器 1063瀏覽量
  • 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-04 09:45

    SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同,這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說,輸出電容的影響較大,而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素,并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
    二極管 MOSFET 2961瀏覽量
  • 魚與熊掌皆可得?當SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

    引言事物皆有兩面:SiCMOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是
    asic 1206瀏覽量
  • IGBT窄脈沖現象解讀2022-05-26 02:14

    什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關,從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間,就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時,時常會無奈發生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A
    IGBT 3165瀏覽量
  • Tvj - IGBT元宇宙中的結溫2022-05-24 05:30

    ///在IGBT應用中,結溫是經常使用的一個參數,大部分讀者應該都很熟悉這個概念,但是這和元宇宙有什么關系呢?我想先請大家考慮一個問題:IGBT結溫到底是指具體哪兒的溫度?。。。你們是不是已經開始上百度搜索答案了?我在百度百科以及維基百科搜索出結溫的解釋大概是這樣的:晶體管結溫,簡稱結溫,是指半導體芯片內的最高工作溫度,通常芯片的結溫會比芯片的外殼高。。。原
    IGBT 5119瀏覽量
  • 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

    新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件:P2000DL45X1682000A4500V帶續流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高
    IGBT 1925瀏覽量