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• 發布了文章 2024-06-03 14:15

  并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

  

  功率器件(如開關、電阻和MOSFET)的并聯連接旨在分擔功率，使設備能夠承受更大的功率。它們可以并聯連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩定性的影響，并聯連接通常比其他較老的組件更簡單且不那么關鍵，碳化硅MOSFET也可以與其他同類設備并聯使用。在正常情況下，多個單元的簡單并聯連接運行良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關的特殊情況下，工作條件可能變得關鍵

  MOSFET SiC 電流

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• 發布了文章 2024-05-31 14:00

  新能源汽車再升級！我國計劃投入60億元加速全固態電池研發

  

  中國日報近日報道，中國政府或將投入約60億元用于全固態電池的研發工作，以推動電池技術的創新和產業升級。據悉，這一史無前例的項目由政府相關部委牽頭實施，寧德時代、比亞迪、一汽、上汽、衛藍新能源和吉利等六家行業領軍企業有望獲得政府的基礎研發支持。全固態電池作為新能源汽車領域的重要創新方向，因其高安全性、長壽命和快速充電能力而備受矚目。然而，由于原材料獲取困難、制

  全固態電池 新能源汽車

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• 發布了文章 2024-05-31 13:59

  如何保護電子元器件以延長生命周期

  

  在電子電力領域，許多關鍵應用要求設備必須運行很長一段時間，甚至幾十年。尤其是對于航空航天、國防、能源和醫療行業方面而言，為了保持設備正常運行，必須在其整個生命周期內持續供應組件。那么，如何保護電子元器件以延長生命周期，解決這個問題的一種方法是在生產結束后長期儲存半導體元件。該解決方案使您能夠在設備的整個使用壽命期間持續供應組件。01電子設備如果沒有組成它們的

  電子元器件 電子電力 設備

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• 發布了文章 2024-05-30 11:24

  國產8英寸碳化硅晶圓邁入新紀元，芯聯集成引領行業突破

  

  5月27日，中國半導體制造領域迎來里程碑式的事件——芯聯集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產8英寸碳化硅晶圓的生產正式邁入國產化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產能力，為我國的半導體產業注入強勁動力。來源：芯聯集成在全球半導體競爭日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨特的

  晶圓 碳化硅 芯聯集成

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• 發布了文章 2024-05-30 11:23

  碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

  

  過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發基于各種半導體器件的功率模塊，如雙極結晶體管(BJT)、結型場效應晶體管(JFET)以及現在的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關性能中，制造商通常需要在柵極驅動復雜性和所需性能之間進行權衡

  SiC 功率器件 碳化硅

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• 發布了文章 2024-05-29 11:36

  英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，滿足AI服務器需求

  

  隨著人工智能(AI)技術的快速發展，AI處理器對功率的需求呈現出顯著增長態勢。為了應對這一挑戰，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)的開發范圍擴展至400V領域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創新產品不僅滿足了AI服務器電源(PSU)日益增長的功率需求，同時保持了服務器機架規

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• 發布了文章 2024-05-29 11:35

  單片機選型的原則與建議

  

  選擇一個不適合的單片機，可能會導致項目成本的增加，開發周期的延長，甚至是項目失敗。今天這篇文章將帶你探索選擇單片機的原則，幫助你在這個充滿挑戰和機遇的領域中做出明智的決策。

  傳感器 單片機 電子元件

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• 發布了文章 2024-05-28 10:53

  功率半導體市場迎飛躍，預測2035年市場規模將增4.7倍

  

  近日，日本市場研究公司富士經濟發布了一份備受關注的行業研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術趨勢》。該報告深入分析了功率半導體市場的發展趨勢，并預測2024年功率半導體市場將比上年增長23.4%，市場規模將達到2813億日元。預計到2035年，這一市場規模將進一步擴大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報告指出，功率半導體市場的增長主要得

  功率半導體 功率器件 晶圓

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• 發布了文章 2024-05-28 10:51

  如何降低功率元器件發生絕緣品質異常

  

  當絕緣體內存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發生局部放電(PartialDischarge，PD)，導致絕緣劣化造成絕緣品質異常。例如：樹酯內有氣泡或漆包線間的氣隙，因為空氣的介電系數較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會分到相對高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發生于氣泡或氣隙等局部瑕疵

  功率元器件

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• 發布了文章 2024-05-27 11:19

  SemiQ 開始針對 SiC 產品組合實施已知良品芯片(KGD)計劃

  

  近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片(KGD)篩選計劃。該計劃提供經過電氣分類和光學檢查的高質量SiCMOSFET技術。該技術已準備好進行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調節系統等設備的構建中依靠可重復的性能來實現高生產線成品率。統一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的

  SemiQ SiC 芯片

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