近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片 (KGD) 篩選計劃。該計劃提供經過電氣分類和光學檢查的高質量 SiC MOSFET 技術。該技術已準備好進行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。

SemiQ 的已知良好芯片保證了一致的電氣參數，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調節系統等設備的構建中依靠可重復的性能來實現高生產線成品率。統一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的耦合。

SemiQ 表示，SiC 是一項強大的技術，支持全球可持續發展的努力。眾所周知的優質芯片 SiC MOSFET具有顯著的性能優勢，包括一致的結電容、極小的插入損耗和強大的隔離度，這些對于高頻應用至關重要。該計劃使客戶能夠獲得品質優良的模具。這些模具將提高生產效率，并在高效應用中提供一致、可靠的性能。

KGD 計劃目前已生效，適用于 SemiQ 的 QSiC? 1200V SiC MOSFET 的整個系列，其電阻范圍為 20mΩ 至 80mΩ。該產品組合有助于在汽車、電動交通、可再生能源、工業電力和其他應用等多個領域實現強大而有效的電氣化。

KGD 設備在被分成單獨的單元后交付，它們可以放置在多種類型的載體介質上，例如藍色膠帶、預固化 UV 膠帶或卷帶。這使得客戶可以更輕松地將設備整合到自己的流程中。