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• 發布了文章 2024-06-25 11:55

  人工智能架構將推動未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進

  

  直到最近，電力轉換行業在效率、尺寸、重量和成本方面的進步主要都是由半導體晶體管技術的改進推動的。為了實現這些改進，新型晶體管的工程目標很明確：提高額定電壓、減少導通和開關損耗，以及降低成本。為了實現這些目標，我們已經投入了數十億美元，并且還在持續投入中。如今的第七代IGBT和MOSFET，以及第三代SiCMOSFET和GaNFET都遠遠優于前幾代的電力器件。

  IGBT 人工智能 硅基 碳化硅

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• 發布了文章 2024-06-24 11:25

  工信部《2024年汽車標準化工作要點》：強化汽車芯片標準供給

  

  近日，工信部在其官方網站上公布了《2024年汽車標準化工作要點》，該文件明確指出將加強汽車芯片領域的標準化工作，以確保國內汽車產業在新一輪的轉型升級中穩健發展。根據文件內容，工信部將加快汽車芯片環境及可靠性、電動汽車芯片環境及可靠性、汽車芯片信息安全等關鍵標準的研制工作，旨在為汽車芯片產業提供堅實的技術支撐。此外，還將推動制定智能駕駛計算芯片、汽車ETC芯片

  汽車芯片 電動汽車 驅動

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• 發布了文章 2024-06-24 11:24

  TRINNO特瑞諾1200V太陽能逆變器專用IGBT助力光伏發電

  

  在當今快速發展的可再生能源領域，太陽能作為一種清潔、無限的能源，正受到越來越多人的關注和利用。為了最大化太陽能的轉換效率，選擇一款高性能的逆變器IGBT至關重要。TRINNO特瑞諾，作為作為追求創新的電力半導體的開發多年的品牌，推出了一款專為太陽能逆變器設計的IGBT——TGHP75N120FDR，其卓越的性能和穩定性，為太陽能發電系統提供了強有力的支持。T

  IGBT 光伏發電 太陽能逆變器

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• 發布了文章 2024-06-21 11:08

  中國晶圓產能預計2024年將同比增長超13%

  

  隨著全球半導體產業格局的深刻變革，中國半導體行業正迎來快速發展的黃金時期。根據國際半導體產業協會(SEMI)在2024年1月發布的最新數據，中國半導體行業在2023年已成為全球最大的半導體設備消費國，投入金額超過360億美元。這一趨勢預計將在2024年持續，中國晶圓產能有望實現同比超過13%的增長。SEMI的報告顯示，在政府資金和其他激勵措施的推動下，中國正

  半導體 晶圓 芯片

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• 發布了文章 2024-06-21 11:08

  特瑞諾(TRINNO)采用最新技術的1350V高頻IGBT器件

  

  隨著技術的不斷進步，IGBT的設計和制造也在持續優化。現代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性，還減小了尺寸和重量，這對于空間受限的應用尤為重要。此外，通過集成智能控制和保護功能，IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統，確保其安全穩定運行。隨著全球對高效能源利用和減少碳排放的需求日益增長，IGBT技術的發展將繼續扮演關鍵角色，推動電力電子技術向更高效、更環保的方

  IGBT 封裝 開關器件

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• 發布了文章 2024-06-20 11:29

  晶豐明源(BPS)終止可轉債發行，聚焦電源管理芯片領域長期發展

  

  近日，知名電源管理芯片制造商晶豐明源(BPS)發布公告，宣布終止本次向不特定對象發行可轉換公司債券，并撤回相關申請文件。這一決策引發了業界的廣泛關注與討論。晶豐明源此次擬發行的可轉換公司債券原計劃募資不超過7.09億元，這筆資金原本將用于高端電源管理芯片產業化項目、研發中心建設項目以及補充流動資金。這些項目旨在進一步拓展公司的業務規模，鞏固并提升其在電源管理

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• 發布了文章 2024-06-20 11:24

  特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹

  

  今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅固耐用、性能卓越的IGBT，這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復反并聯二極管，漏電流極低，在高結溫和低結溫下也表現出出色的傳導和開關特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先進的細溝槽柵極場截止(FS)技術，可確保整個器件的電場分布一致。該技術使IGBT能夠承受更高的擊穿電壓，

  IGBT 二極管 額定電壓

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• 發布了文章 2024-06-19 11:15

  半導體行業供需分化，晶圓代工產能激增引價格上漲

  

  在全球宏觀經濟形勢的波動背景下，半導體市場下游需求展現出明顯的分化趨勢。傳統消費終端如顯示、PC、手機等領域的需求持續低迷，而新興領域如AI服務器、物聯網、新能源車等則呈現出強勁的增長勢頭。這一變化不僅重塑了半導體行業的市場格局，也推動了晶圓代工廠產能利用率的顯著提升。根據行業觀察，自今年第二季度開始，晶圓代工廠的產能利用率已經出現了明顯的回升。不少廠商已接

  半導體 新能源車 晶圓

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• 發布了文章 2024-06-19 11:13

  用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該技術與硅的不同之處，以及如何優化電路技術(例如軟開關)，超越硅的實際應用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導通電阻。與硅相比，SiC的開關速度

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• 發布了文章 2024-06-18 11:13

  深圳集成電路進口額穩健增長，前五月增幅達21.1%

  

  在全球集成電路市場持續發展的背景下，深圳作為中國重要的經濟特區，其集成電路進口額展現出強勁的增長勢頭。據深圳海關最新數據，今年前五月，深圳集成電路進口額同比增長了21.1%，這一顯著增長不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產業領域的持續繁榮。從數據上看，今年前五個月，深圳集成電路進口額達到2668.5億元，同比增長21.1%。

  電子信息 集成電路

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