動態

• 發布了文章 2024-06-11 10:49

  突破碳化硅(SiC)和超結電力技術的極限

  

  PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導體器件公司，團隊在電力半導體行業擁有超過二十年的經驗，他們專注于開發和生產先進的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET，以及超結(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術。eMOSE7超結技術提供了快速的開關性能，同時具有低開關噪音和過沖尖峰。這提高了

  MOS 半導體 碳化硅

  765瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-07 11:19

  全球半導體產業加速布局，兩大巨頭投資數十億美元建設新工廠

  

  在全球半導體產業持續回暖的背景下，兩大半導體巨頭意法半導體(ST)和恩智浦半導體(NXP)近期分別宣布了重大投資計劃，以加速在碳化硅(SiC)和半導體晶圓制造領域的布局。5月31日，意法半導體在其官網上正式宣布，將于意大利卡塔尼亞建設全球首個一站式碳化硅產業園。該產業園將作為8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規模制造及封測綜合基地，實現碳化硅制造的全面垂直整合。

  SiC 半導體 意法半導體

  604瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-07 11:17

  半導體基礎功率模塊與離散元件的比較

  

  半導體基礎功率模塊因其相對于傳統離散元件的諸多優勢而變得越來越突出。在不斷發展的功率電子領域，選擇半導體基礎功率模塊與離散元件對效率、可靠性和整體系統性能有著顯著的影響。半導體基礎功率模塊的優勢半導體基礎功率模塊將多個組件集成到單一封裝中，與離散元件相比設計更為緊湊。模塊可以輕松集成從改善開關行為的電容器到電流測量的分流器和減少雜散電感的組件。圖1：帶有集成

  分流器 功率模塊 半導體

  717瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-06 11:20

  阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用

  

  近日，全球領先的半導體制造設備供應商阿斯麥(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費爾德霍芬的High-NAEUV光刻實驗室正式啟用。這一里程碑式的事件標志著雙方合作研發的高數值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術即將進入大批量生產階段，預計將在2025至2026年間實現廣泛應用。該實驗室的核心設備是一臺名為TWINSCANE

  ASML IMEC 光刻

  1k瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-06 11:19

  使用碳化硅模塊的充電設備設計

  

  碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現代電力電子設備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊，特別適用于各種充電設備的設計中。本文將探討使用MPRA1C65-S61SiC模塊設計充電設備的優勢、設計注意事項和實際應用案例。碳化硅模塊的優勢高效能和低損耗:SiC模塊相較于傳統的硅(Si)基模塊，具有更低的導通電阻和更

  SiC 充電設備 碳化硅

  663瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-05 11:33

  東芝大幅裁員聚焦功率半導體，中國市場成競爭新焦點

  

  在日益激烈的全球半導體市場競爭中，東芝公司近日宣布了一項重大戰略調整，將進行一場規模達5000人的裁員行動，并將重點聚焦在功率半導體等核心業務上，以應對行業變革和市場挑戰。

  功率半導體 機械 電氣裝置

  528瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-05 11:28

  SiC模塊MPRA1C65-S61進行開關電源設計

  

  今天和大家分享一下我在使用MPRA1C65-S61這款SiC模塊進行開關電源設計時的一些實戰經驗。這款模塊的反向重復峰值電壓為650V，連續正向電流為100A，非常適合用在開關電源設備上。為什么選擇SiC模塊?首先，大家可能會問，為什么要選擇SiC(碳化硅)模塊?相比傳統的硅基模塊，SiC模塊具有更高的效率、更低的開關損耗和更好的熱性能。這意味著在相同的設計

  SiC模塊 開關電源 設備

  700瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-04 11:56

  中國新能源汽車產銷再創新高，本土車規MCU國產化率目標25%

  

  在新能源汽車領域，中國正展現出其強大的市場影響力和產業轉型能力。根據中國汽車工業協會發布的最新數據，2023年我國新能源車產銷量突破900萬輛大關，市場占有率超過30%，連續九年領跑全球，成為推動全球汽車產業綠色轉型的關鍵力量。在這一背景下，車規級芯片作為汽車產業的核心零部件，其國產化進程顯得尤為重要。隨著新能源汽車市場的蓬勃發展，單車芯片需求呈現爆發式增長

  新能源汽車 汽車 車規MCU 車規級芯片

  965瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-04 11:55

  基于SiC Diode模塊在焊接切割設備中的技術優勢

  

  焊接切割設備通常可以通過功率模塊解決設計方案實現其高效、穩定的輸出功率，從而幫助設備延長使用壽命和保持穩定性。為了滿足高效、穩定、耐用的焊接切割設備需求，MPRA1C65-S61SiCDiode模塊應運而生，這是一款基于碳化硅(SIC)技術的新型SICDIODE模塊。這篇文章將深入探討SICDIODE模塊的技術優勢，以及它在焊接切割設備中的應用和性能提升。圖

  Diode 焊接 碳化硅

  863瀏覽量

• 發布了文章 2024-06-03 14:18

  中國碳化硅襯底行業產能激增，市場或將迎來價格戰

  

  從2023年起，中國碳化硅襯底行業迎來了前所未有的發展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個項目的全國落地，行業產能迅速擴張，達到了新的高度。根據最新行業數據，國內碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關，多家廠商的產能增長速度顯著超過市場預期。據行業數據顯示，中國2023年的6英寸碳化硅襯底產能已占據全球產能的42%，預計到2026年，這一比例將提升至50%左右

  主機 汽車 碳化硅

  868瀏覽量