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• 發布了文章 2024-05-20 11:35

  敦泰(FocalTech)觸控芯片FT6000系列說明

  

  觸控芯片是一種專用的微處理器，它處理觸摸屏上的輸入信號。這些芯片能夠解析用戶的觸摸，包括輕觸、滑動和手勢，并將這些物理交互轉換為數字信號，使設備能夠響應用戶操作。觸控芯片廣泛應用于智能手機、平板電腦、觸控屏幕等多種電子設備中，為現代交互式設備提供核心功能。敦泰(FocalTech)觸控芯片敦泰(FocalTech)觸控芯片可支持1吋~25吋運用各種結構、工藝

  微處理器 電子設備 觸控芯片

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• 發布了文章 2024-05-17 11:01

  SemiQ 600V SiC Diode Modules說明介紹

  

  與傳統的硅基二極管相比，SiC二極管模塊具有更快的開關速度、更低的反向恢復損耗和更高的工作溫度。SiC技術的發展推動了電力電子設備的能效提升和尺寸縮小。

  Modules 半導體 碳化硅

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• 發布了文章 2024-05-16 11:18

  2024顯示驅動芯片市場回暖，智能手機需求強勁推動增長

  

  據群智咨詢數據顯示，隨著下游需求的逐步恢復，顯示驅動芯片(DisplayDriverIC)預計將迎來筑底回升。預計到2024年，全球顯示驅動芯片的營收將達到約111.3億美元，同比增長約0.8%。同時，2024年全年DDIC的供需比約為34.0%，整體供應相對寬松。然而，預計全球主要晶圓廠的高壓制程產能利用率將達到約80.2%，同比增長8.3個百分點。圖片來

  晶圓 智能手機 驅動芯片

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• 發布了文章 2024-05-16 11:16

  SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹

  

  SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件，它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優異性能。與傳統的硅基MOSFET相比，SiCMOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率，SiCMOSFET模塊的引入有助于提高系統效率，減小系統尺寸和重量，是現代電力

  Module MOSFET 半導體

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• 發布了文章 2024-05-15 11:21

  我國力促芯片國產化進程，預計2027年實現整車芯片完全國產化

  

  國內消息源透露，中國工信部已經設定了宏大的目標，計劃在明年將芯片的國產化率提升至25%，并采用積分方式來驅動國家對國產芯片研發的資金支持。特別是在電動車領域，預計到2027年，整車所需的芯片將完全實現國產化。國內驅動IC(集成電路)企業分析認為，雖然此舉非強制性質，但無疑將對臺灣企業帶來新的挑戰。不過，由于IC設計的復雜性和車用芯片的長驗證周期，臺廠仍有一席

  電動車 芯片 驅動IC

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• 發布了文章 2024-05-15 11:20

  SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅

  

  SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設計的需求，具有一流的可靠性、質量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流，可為300kW及以上的直流快速充電系統提供最終的效率增益。SemiQSiC在電動汽車快速充電中的優勢：高效率降低工作溫度長期可靠性與Si相比，設計復雜性降低超過5400

  MOSFET 電動汽車 碳化硅

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• 發布了文章 2024-05-14 10:51

  國內外汽車巨頭積極布局，新能源汽車行業迎來智能化升級浪潮

  

  在激烈的內卷和向國際市場進軍的背景下，國內電動車行業正經歷著從制造到智能駕駛的升級。然而，面對產業淘汰賽的殘酷現實，多數新創車廠因盈利不佳和資金緊張，急需外部資金支持。在這樣的背景下，主流車廠如大眾汽車和Stellantis，通過購并和持股新創車廠，試圖在未來汽車領域取得更進一步的地位。這種跨界合作主要出于兩個目的：一是為了更貼近國內市場的制造成本和消費者喜

  新能源汽車 汽車 特斯拉

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• 發布了文章 2024-05-14 10:48

  SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹

  

  EVDC-DC轉換器SemiQ的SiC產品為汽車應用提供一流的可靠性、質量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET，旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉換器對于維護電動汽車的電氣系統至關重要。它們確保所有子系統都能獲得運行所需的適當電壓水平，同時最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現代電動汽車中高壓組件與低壓系統的無縫集成。SemiQS

  MOSFET SiC 轉換器

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• 發布了文章 2024-05-13 11:04

  SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊

  

  SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應用而設計。它們針對超低開關損耗進行了優化，從而提高了效率并降低了功耗。高效率、高結溫耐受性和陶瓷封裝可減少散熱并提高機械布局靈活性。陶瓷封裝可將散熱器直接安裝在隔離導熱墊上。電氣引腳觸點為通孔壓接連接，零件總占地面積為62.8

  MOSFET SiC 碳化硅

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• 發布了文章 2024-05-10 10:57

  廠商紛紛推新2000V SiC MOSFET產品，光伏儲能領域迎來突破

  

  隨著清潔能源的發展步伐日益加快，光伏儲能技術領域也呈現出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發展，功率半導體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業新寵。這一趨勢不僅在汽車產業得到了證實，SiCMOSFET更是開始在光伏逆變器和工業電源等多個領域大放異彩。近期，光伏儲能系統的操作電壓水平不斷攀升，推動了2000VSiCMOSFET作為行業新熱點的崛起。面對這一

  MOSFET SiC 光伏

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