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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管,助力工業電源應用高效能量轉換2025-07-15 09:58

    近日,知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產品的推出旨在滿足日益增長的工業電源應用需求,特別是在超低功率損耗整流方面。這一創新不僅將推動各個工業部門的高效能量轉換,還將幫助企業實現更高的能效和更低的運營成本。隨著工業自動化和電動化進程的加速,電源管理的效率變得越來越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基
  • 浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護2025-07-15 09:57

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現代電力電子系統的核心開關器件,其長期可靠性直接關系到設備壽命與運行安全。在諸多應力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協同作用,往往成為加速器件內部劣化、引發早期失效的關鍵誘因。本文深入探討該耦合效應背后的物理機制,并基于實驗數據提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎IGBT的柵極結構類似于MOSFET,其
    IGBT 開關器件 電壓 96瀏覽量
  • 瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應晶體管,推動高效電源轉換技術2025-07-14 10:17

    在電源轉換技術不斷進步的背景下,瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET),專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度電源轉換的需求。這三款晶體管支持功率范圍從1千瓦到10千瓦及以上,適用于各種新興的800伏高壓直流拓撲結構。隨著人工智能(AI)、電動汽車(EV)和可再生能源的迅
  • 浮思特 | 如何開發高效可靠的人機界面(HMI):實踐與考量2025-07-14 10:16

    在復雜設備控制系統的開發中,為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護人員)設計合適的交互界面至關重要,這便是人機界面(HMI)的核心任務。HMI形式多樣,從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業觸摸屏,乃至支持遠程操作的Web或App界面,其設計質量直接影響設備的易用性、效率和安全性。需求定義:成功的基石敏捷開發模式在HMI設計中頗為流行,通過迭代沖刺推進需求、設
    HMI 人機界面 嵌入式 58瀏覽量
  • 三星電子全力推進2納米制程,力爭在2025年內實現良率70%2025-07-11 10:07

    根據韓國媒體ChosunBiz的報道,三星電子的晶圓代工事業部正在全力押注其2納米制程技術,目標是在2025年內實現良率提升至70%。這一戰略旨在吸引更多大客戶訂單,進一步鞏固其在半導體市場中的競爭地位。業界普遍認為,目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內部消息稱其初期良率已優于以往的制程技術,但在量產階段,三星能否與國際競爭對手臺積電抗衡仍然是一個
    三星電子 晶圓 芯片 418瀏覽量
  • 浮思特 | 超越傳統:集成電流傳感器IC的技術解析與應用優勢2025-07-11 10:06

    在電力電子系統設計中,精確、可靠且緊湊的電流檢測是實現高效控制、系統保護和能源優化的基石。傳統方案(如分流電阻+隔離運放)雖然成熟,但在集成度、隔離性能和抗干擾能力上面臨挑戰。LEM公司的集成電流傳感器IC(CurrentSensorICs),基于創新的霍爾效應與差分測量技術,為工程師提供了一種革命性的解決方案。什么是集成電流傳感器IC?集成電流傳感器IC是
  • 全球半導體市場持續增長 2025年5月銷售額達590億美元2025-07-10 10:05

    根據美國半導體行業協會(SIA)發布的最新數據,2025年5月全球半導體銷售額達到590億美元,較2024年5月的492億美元增長了19.8%。這一增長趨勢不僅反映了半導體市場的復蘇,也顯示出行業需求的持續上升。SIA總裁兼首席執行官JohnNeuffer表示,5月全球半導體銷售表現強勁。不僅高于4月份的銷售總額,也遠超去年同期的水平。這一銷售增長的背后,反
    人工智能 半導體 310瀏覽量
  • 浮思特 | (ABOV)現代單片機在現代嵌入式系統中的應用與技術趨勢2025-07-10 10:03

    當今,微控制器(MCU)已成為最核心的計算技術之一,其存在是所有嵌入式應用的基礎。微控制器提供了無數計算解決方案,有些甚至專為特定應用場景設計,例如電機控制。電機控制應用通常通過組合專用電機控制單元和系統控制單元來實現,兩者均采用微控制器及相關軟件。部分微控制器專為同時控制多臺永磁電機而設計,可應用于空調、洗衣機、洗碗機等設備。此外,工業領域的通用變頻器、不
  • 混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優解?2025-07-09 09:58

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現代電動汽車牽引系統的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱,但其固有的高開關損耗和較慢開關速度會降低系統效率,尤其在高頻和低負載工況下表現更為明顯。相比之下,基于SiC的逆變器雖具有更低開關損耗和更高效率,但其制造成本較高且依賴先進工藝。混合SiC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG
  • 浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優化與開爾文源極結構2025-07-08 10:28

    本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設計方面的進展,重點關注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關損耗方面的作用,以及開爾文源極連接結構對高頻應用效率的優化效果。同時分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導通電阻(Rsp)與短路耐受時間(SCWT)方面的結構設計思路。PowerMaster擴展了其增強型碳化硅(eSiC)MOSFE
    MOSFET SiC 封裝 131瀏覽量