深圳市浮思特科技有限公司文章

• 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模縮減 比亞迪半導(dǎo)體首進前十2025-05-13 11:23

  

  2025財年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財報，顯示全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已縮減至323億美元，這一變化標志著市場格局的顯著調(diào)整。在這份財報中，英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場首位，但其市場份額同比下降了2.9個百分點，降至17.7%。這一趨勢引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟環(huán)境不確定性加大的背景下。根據(jù)

  功率半導(dǎo)體 比亞迪 379瀏覽量

• 半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護：原理、測試方法與保護電路設(shè)計2025-05-13 11:21

  

  半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實現(xiàn)元件級保護，我們采用片上ESD保護電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設(shè)備面臨的常見威脅。當(dāng)ESD事件發(fā)生時，一定量的電荷會在兩個物體間轉(zhuǎn)移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉(zhuǎn)移可能導(dǎo)致極高電流在極短時間內(nèi)流經(jīng)芯片，若器件無法快速耗散能量就會造成損壞。ESD威脅貫穿產(chǎn)品全生命周期：在制造組

  ESD 半導(dǎo)體芯片 電路設(shè)計 762瀏覽量

• Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性2025-05-08 11:09

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車

  Nexperia SiC MOSFET 汽車 311瀏覽量

• 基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器2025-05-08 11:08

  

  對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅(qū)動電路在這些方面都起著關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動器原理轉(zhuǎn)換器

  MOSFET 氮化鎵 驅(qū)動器 374瀏覽量

• 浮思特 | 創(chuàng)新燒結(jié)式溫度傳感器：實現(xiàn)功率電子器件精準溫控的關(guān)鍵突破2025-05-07 11:15

  

  燒結(jié)工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應(yīng)用中，這種直接將半導(dǎo)體芯片及傳感器等相關(guān)無源元件固定于基板的技術(shù)，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結(jié)合碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料的使用，該技術(shù)可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風(fēng)險加劇，因此實現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)

  溫度傳感器 溫控 電子器件 309瀏覽量

• 新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊2025-05-06 14:08

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，標志著電力電子技術(shù)的又一次進步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

  IGBT SiC 高電壓 319瀏覽量

• AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)2025-05-06 14:03

  

  本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響，以及這些變化對服務(wù)器和機架技術(shù)的意義。具體而言，我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應(yīng)用于服務(wù)器、機架及相關(guān)設(shè)備以支持這一架構(gòu)演進。數(shù)據(jù)中心與電力當(dāng)前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來看，屆時全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當(dāng)今印度全國的電力消耗規(guī)模相當(dāng)

  AI MOSFET 人工智能 253瀏覽量

• 芯聯(lián)集成2024年營收65.09億元：SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)跑亞洲2025-04-30 11:54

  

  近日，國內(nèi)半導(dǎo)體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績公告。數(shù)據(jù)顯示，公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入65.09億元，其中主營業(yè)務(wù)收入62.76億元，同比增長27.8%;歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正至1.03%，標志著公司經(jīng)營質(zhì)量顯著提升。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進展備受關(guān)注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼，出貨量穩(wěn)居亞洲市

  SiC 半導(dǎo)體 470瀏覽量

• 面板驅(qū)動IC市場動態(tài)解析：策略調(diào)整與價格走勢2025-04-29 11:49

  

  根據(jù)全球知名市場研究機構(gòu)TrendForce的最新研究報告，今年上半年，面板行業(yè)品牌在操作策略上的調(diào)整，間接改變了面板驅(qū)動IC(DriverIC)的價格走勢。這一趨勢引發(fā)了業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟不確定性加大的背景下，面板驅(qū)動IC的市場動態(tài)尤為重要。在過去的幾個月中，各大品牌廠和面板廠相繼調(diào)整了備貨節(jié)奏。這種調(diào)整使得庫存水平逐漸回歸到一個更為健康的狀

  IC 面板驅(qū)動 646瀏覽量

• 浮思特 | 萊姆電子(LEM)高精度數(shù)字電流傳感器技術(shù)解析2025-04-29 11:47

  

  在電力電子系統(tǒng)中，電流測量精度與可靠性直接影響系統(tǒng)性能。作為全球電流傳感器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，萊姆電子(LEM)推出的HMSRDA系列數(shù)字傳感器，通過多項專利技術(shù)創(chuàng)新，為現(xiàn)代工業(yè)與汽車電子提供了突破性解決方案。圖1核心技術(shù)創(chuàng)新1、Σ-Δ數(shù)字調(diào)制架構(gòu)萊姆電子獨有的二階Σ-Δ調(diào)制技術(shù)，實現(xiàn)模擬信號到數(shù)字比特流的直接轉(zhuǎn)換。該技術(shù)已應(yīng)用于HMSRDA系列，具備三大技術(shù)特性：

  lem 傳感器 電流傳感器 633瀏覽量