深圳市浮思特科技有限公司文章

• 智能功率模塊在電動機驅動逆變器中的應用與優勢分析2025-03-25 11:23

  

  在消費類和通用工業應用中，針對小型交流電動機的逆變器設計師面臨著日益嚴格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰。傳統上，許多小型逆變器設計采用離散功率器件封裝，并結合實現接口、驅動和保護功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復雜PCB設計，以滿足驅動器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個同樣令人困惑的問題是，當驅動器和功率器件的特性未能正確匹配時，如何保

  電動機 逆變器 驅動 445瀏覽量

• Vicor在臺灣推廣48V電源模塊：模塊化設計的市場競爭優勢2025-03-24 11:38

  

  近日，美系功率半導體模塊廠商Vicor在中國臺灣舉辦了一場媒體活動，重點宣傳其最新的48V電源模塊平臺。此次活動吸引了眾多媒體及行業專家的關注，凸顯了Vicor在電源管理領域的創新實力和市場策略。Vicor在活動中強調，其模塊化設計在市場上的競爭優勢與眾不同。與許多傳統的美系電源管理IC廠商和IDM(集成設備制造商)不同，Vicor并不將所有功能整合在一塊電

  Vicor 電源模塊 552瀏覽量

• 浮思特 | 創新互補模型：提升功率電子轉換器設計與仿真的新方法2025-03-24 11:36

  

  功率電子轉換器可以視為由分段線性元件(傳統元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下，我們將電子設備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件，盡管這可能是一個不太精確的術語。在許多實際情況下，電子設備可以建模為一個可變電阻，其在導通狀態下的值非常低，而在阻斷狀態下的

  仿真 功率電子 轉換器 249瀏覽量

• Microchip Technology委托麥格理集團出售亞利桑那州晶圓廠二號2025-03-21 11:26

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(MacquarieGroup)，負責其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標志著Microchip在調整其制造規模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領先的半導體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導體、閃存等領域。公司在技術

  microchip 半導體 晶圓 482瀏覽量

• SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優勢2025-03-21 11:25

  

  使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復電荷，使設計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優勢，這些開關類型與經過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關 400瀏覽量

• Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創新X.PAK封裝技術2025-03-20 11:18

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD)封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC 497瀏覽量

• SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合，提升電力轉換性能2025-03-20 11:16

  

  使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標準的硅p/n二極管提供了許多優勢。一個關鍵優勢是缺乏反向恢復損失，這種損失在p/n二極管中尤為顯著，特別是在高溫、快速切換和高電

  MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管 455瀏覽量

• Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC2025-03-19 11:15

  

  近日，納維塔斯半導體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業界譽為在可再生能源和電動汽車等高功率應用領域的“范式轉變”。納維塔斯首席執行官兼聯合創始人基恩·謝里丹在新聞發布會上指出，這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個方面都達到了行業頂尖水平。納維塔斯在大會上推出的雙向Ga

  GaN Navitas 功率IC 775瀏覽量

• DSA技術：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案2025-03-19 11:10

  

  為了補償光子不足，制造商可能會增加曝光劑量，這又會延長光刻過程中停留的時間。然而，這種做法直接影響了生產效率，使得整個過程變得更慢，經濟性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應更小的技術節點，對更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產力的瓶頸。DSA技術：一種革命性的方法DSA技術通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰。嵌段共聚物由兩個或多個化學性

  DSA EUV 半導體 598瀏覽量

• onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統成本2025-03-18 11:34

  

  近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業內的一項重大技術進步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設計，相較于傳統的場停7IGBT技術，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管 489瀏覽量