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發(fā)布了文章 2024-04-18 11:49

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)損失且電容相對較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)

GaN HEMT 氮化鎵

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發(fā)布了文章 2024-04-17 13:47

新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張

IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，對新能源汽車的性能有著直接影響，尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%，此外還廣泛應(yīng)用于車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。

IGBT 新能源汽車晶體管

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發(fā)布了文章 2024-04-17 13:46

全新碳化硅MOSFET封裝技術(shù)提升電力模塊性能

說到減少碳化硅MOSFET開關(guān)損耗，完全有可能，但讓電力模塊在運(yùn)行時(shí)保持高開關(guān)速度，那可不是一件輕松的事。

封裝電力碳化硅MOSFET

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發(fā)布了文章 2024-04-16 13:42

國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場迎來高速增長

電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場的擴(kuò)張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商，在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后，乘著新能源的東風(fēng)，在全球市場中迅速崛起。

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體碳化硅

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發(fā)布了文章 2024-04-16 13:35

碳化硅制備的重要性與難點(diǎn)和挑戰(zhàn)

這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料，讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本無法實(shí)現(xiàn)。

SiC 電力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車碳化硅

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發(fā)布了文章 2024-04-15 15:49

英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術(shù)封裝

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計(jì)。

MOSFET 封裝英飛凌

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發(fā)布了文章 2024-04-15 15:48