總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項目簽約落戶贛州經(jīng)開區(qū)

近日，贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司(香港)、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院(簡稱“電研院”)簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資200億元的名芯半導(dǎo)體項目順利落戶該區(qū)。

據(jù)悉，項目分兩期建設(shè)：一期投資60億元，建設(shè)一條8英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資120-140億元，規(guī)劃建設(shè)第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。兩期項目達產(chǎn)達標(biāo)后，預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上。項目涉及的產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中80%品種。同時，項目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測工廠、IC設(shè)計公司、微電子研究院等三個項目。

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴