女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)

電子工程師 ? 來源:yxw ? 2019-05-14 13:45 ? 次閱讀

西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長的存儲需求,為汽車制造商和系統(tǒng)供應商提供先進技術(shù)和更高容量,以支持更廣泛的汽車應用產(chǎn)品,包括電子駕駛艙(e-cockpit)、人工智能AI)數(shù)據(jù)庫、ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))、先進信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。

Counterpoint Research 公司合伙人兼研究總監(jiān) Neil Shah 表示:“存儲是自動駕駛/車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域中發(fā)展最快的半導體應用之一。先進車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)、人工智能(AI)以及傳感器驅(qū)動的自動駕駛系統(tǒng)都會產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù),需要在終端進行本地處理和存儲。到 2022 年,每輛車的平均存儲容量將超過2TB。”

曾經(jīng),高容量存儲往往用于地圖數(shù)據(jù)、應用軟件和用戶信息存儲,而今高容量存儲開始在新一代汽車應用中擴展其適用的范圍,包括行車數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)儀表、遠程通信網(wǎng)關(guān)、車用無線通信技術(shù)、高級駕駛輔助系統(tǒng)、人工智能和自動駕駛的計算。這種不斷增長的存儲趨勢要求閃存設計用于極端汽車環(huán)境(包括高達105oC 的溫度范圍),同時要滿足此類應用在存儲質(zhì)量和可靠性上的要求。

西部數(shù)據(jù)公司 Device 部門高級總監(jiān) Oded Sagee 表示:“具有嚴格質(zhì)量和可靠性要求的高容量存儲正在迅速成為汽車行業(yè)的標準,而搭載 3D TLC NAND 技術(shù)的新款西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤,在設計上采用了能夠滿足新一代應用需求的功能和規(guī)格。”

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤通過了IATF16949認證,符合AEC-Q100標準,并遵守ISO26262 NAND閃存安全機制指南,還囊括了專為密集型汽車工作負載而設計的豐富汽車功能,包括:

? 先進的運行狀況監(jiān)控

? 熱管理

? 自動和手動讀取刷新

? 強大的電源管理

? 數(shù)據(jù)保存性超過JEDEC標準

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤采用先進的數(shù)據(jù)保護和糾錯技術(shù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1718

    瀏覽量

    137804
  • 嵌入式閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    20

    瀏覽量

    12845
  • e.MMC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    7729
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?673次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的制造工藝與挑戰(zhàn)

    NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中,具有高速讀寫和耐用性強的特點。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:21 ?1420次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>閃存</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)特點

    西部數(shù)據(jù)本財季將分拆閃存業(yè)務

    西部數(shù)據(jù)現(xiàn)任首席執(zhí)行官David Goeckeler在公司2025財年第二財季財報電話會議上宣布了一項重大決定:本財季晚些時候,西部數(shù)據(jù)將完成其閃存業(yè)務的分拆。 屆時,西部數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 15:36 ?396次閱讀

    西部數(shù)據(jù)本財季將完成閃存業(yè)務分拆

    西部數(shù)據(jù)現(xiàn)任首席執(zhí)行官David Goeckeler在近日舉行的公司2025財年第二財季財報電話會議上透露了一個重要信息:西部數(shù)據(jù)將于本財季(該財季將于今年3月28日結(jié)束)晚些時候完成其閃存
    的頭像 發(fā)表于 02-07 15:10 ?465次閱讀

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

    問題,再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心!   SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使
    發(fā)表于 01-15 18:15

    EMMC和NAND閃存的區(qū)別

    在現(xiàn)代電子設備中,存儲技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲解決方案也在不斷進步,以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。EMMC(嵌入式多媒體卡)和
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:37 ?3064次閱讀

    3D NAND的發(fā)展方向是500到1000

    芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 增加到 800 或更多,利用額外的容量將有助于滿足對
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:00 ?645次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的發(fā)展方向是500到1000<b class='flag-5'>層</b>

    【半導體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識

    NAND只需要提高堆棧層數(shù),目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進
    發(fā)表于 12-17 17:34

    西部數(shù)據(jù)推出全新閃迪手機閃存盤產(chǎn)品組合

    西部數(shù)據(jù)公司旗下閃迪品牌手機閃存盤產(chǎn)品組合,于近日正式推出了適用于Lightning和USB Type-C?設備以及適用于USB Type-A和USB Type-C?設備的兩款閃迪?手機閃存盤
    的頭像 發(fā)表于 10-14 12:59 ?548次閱讀
    <b class='flag-5'>西部數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>推出</b>全新閃迪手機<b class='flag-5'>閃存盤</b>產(chǎn)品組合

    西部數(shù)據(jù)計劃剝離NAND與SSD業(yè)務,估值或達數(shù)百億美元

    近日,西部數(shù)據(jù)宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整,計劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤(SSD)業(yè)務從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來,形成兩個獨立的業(yè)務部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注,Wedbush分析師馬特·布賴森對此進行了深入解讀。
    的頭像 發(fā)表于 08-22 15:06 ?942次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?7623次閱讀

    美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

    知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:11 ?979次閱讀

    鎧俠瞄準2027年:挑戰(zhàn)1000堆疊的3D NAND閃存新高度

    在全球半導體行業(yè)的激烈競爭中,日本知名存儲芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后,鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%,同時上周還公布了其令人矚目的3D
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:29 ?890次閱讀

    MWC 2024速遞丨押寶AI,產(chǎn)業(yè)巨頭激戰(zhàn)未來

    iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存盤尤為引人注目,成為業(yè)界首批通過ASPICE CL3認證的存儲解決方案。這款產(chǎn)品采用先進的112
    的頭像 發(fā)表于 06-28 23:41 ?452次閱讀
    MWC 2024速遞丨押寶AI,產(chǎn)業(yè)巨頭激戰(zhàn)未來

    西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲新紀元

    在當今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代,存儲技術(shù)的每一次革新都牽動著整個科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC
    的頭像 發(fā)表于 06-15 11:42 ?1460次閱讀