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四探針法精準(zhǔn)表征電阻率與接觸電阻 | 實現(xiàn)Mo/NbN低溫超導(dǎo)薄膜電阻器

Flexfilm ? 2025-07-22 09:52 ? 次閱讀
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低溫薄膜電阻器作為超導(dǎo)集成電路的核心元件,其核心挑戰(zhàn)在于實現(xiàn)超導(dǎo)材料NbN金屬電阻Mo間的低接觸電阻(R?)。本文使用四探針法研究鉬(Mo)為電阻材料,利用其低電阻率和優(yōu)異工藝重復(fù)性,通過NbN表面氬離子清洗活化及鋁(Al)繃帶層技術(shù)顯著降低界面接觸電阻,為NbN基超導(dǎo)器件提供可靠解決方案。電阻特性通過使用Xfilm埃利四探針方阻儀在2.5–300 K溫區(qū)系統(tǒng)表征,并基于公式擬合不同溫區(qū)的阻值變化,精準(zhǔn)提取接觸電阻R?溫度系數(shù) α,揭示界面電阻隨溫度變化的物理機制。

1

電阻器制備工藝

flexfilm


本研究設(shè)計三類結(jié)構(gòu):

  • 變長度電阻器(3 μm寬,長度3-768 μm),用于提取方阻(R?)和接觸電阻(R?);
  • 均一化電阻器(五組相同尺寸),評估工藝重復(fù)性
  • 交叉金屬條(NbN/Al、NbN/Mo、Mo/Al),獨立測試界面電阻。

關(guān)鍵工藝如下:

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樣品光學(xué)照片:(a)(d) 寬度3 μm、長度3–768 μm的電阻器(無/有鋁繃帶層);(b)(e) 等尺寸電阻器(無/有繃帶層)(b)中標(biāo)示四探針法測量電路;(c) 界面電阻測試結(jié)構(gòu),虛線框標(biāo)出測試界面位置

  • 硅襯底預(yù)處理:1000°C氧等離子體氧化形成250 nm SiO?層。
  • NbN沉積:直流磁控濺射制備 5-7 nmNbN薄膜( R? = 500-600 Ω/sq , Tc = 8K)。
  • 氬離子清洗:沉積鉬前對NbN表面進行0.5或1.5 keV氬離子清洗,去除 NbNO? 污染層。
  • 鉬電阻器制備:直流反應(yīng)磁控濺射沉積 20 - 80 nm 鉬膜,方阻調(diào)至 5.2 - 6.0 Ω/sq。
  • 鋁包層技術(shù):在Mo/NbN接觸區(qū)沉積鋁層,消除高阻接觸墊影響。

2

結(jié)果與分析

flexfilm

8c444570-669e-11f0-a486-92fbcf53809c.jpg

(a)室溫下無鋁層電阻器的電阻隨方塊數(shù)變化(紅/綠三角:0.5/1.5 keV清洗樣品)(b)A-1樣品的SiO?/NbN/Mo界面TEM圖像

室溫電阻:實驗結(jié)果表明,未添加鋁帶束的樣品(A-1和B-1)在室溫下的接觸電阻為7-8 Ω。通過TEM和XRR分析,發(fā)現(xiàn)NbN表面存在約2.7 nm厚的NbNOx氧化層,經(jīng)過0.5 keV氬離子清洗和激活后,NbNOx層被完全去除,NbN層厚度增加到6.9 nm

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(a) Al沉積前的NbN/Mo/MoO?層;(b)(c) Mo/Al和NbN/Al界面的TEM氧化層;(d) 帶繃帶層電阻器的R-N曲線;(e) 界面電阻與接觸面積關(guān)系(小至3×3 μm2仍穩(wěn)定);(f) 有無繃帶層的等尺寸電阻器分散性(繃帶層使50 Ω器件偏差±1.29 Ω)

低溫電阻:在不同溫度下測量的電阻結(jié)果顯示,當(dāng)溫度從室溫降至50 K時,電阻下降約1.3倍,并在更低溫度下保持穩(wěn)定。接觸電阻R?隨溫度降低而減小,表明NbN在接觸墊處發(fā)生超導(dǎo)轉(zhuǎn)變。鋁帶束效果:添加鋁帶束的樣品(A-2和B-2)在室溫下的接觸電阻接近于零,表明鋁帶束有效降低了接觸電阻。XRR分析顯示,NbN/Al和Mo/Al界面的氧化層厚度分別為1.8-1.9 nm和不到1 nm,但未對界面電阻產(chǎn)生顯著影響。本文研究了用于NbN超導(dǎo)電路低溫鉬薄膜電阻器的制備工藝。關(guān)鍵工藝步驟為在沉積鉬之前對NbN表面進行0.5-1.5 keV的氬離子清洗活化,結(jié)合接觸區(qū)域鋁包層技術(shù),使接觸電阻降至1 Ω以下。通過透射電鏡(TEM)和X射線反射率(XRR)分析驗證了界面質(zhì)量。

四探針方阻儀

flexfilm


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技術(shù)支持:180-1566-6117

四探針方阻儀用于測量薄層電阻(方阻)或電阻率,可以對最大230mm 樣品進行快速、自動的掃描, 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

  • 超高測量范圍,測量1mΩ~100MΩ
  • 高精密測量,動態(tài)重復(fù)性可達0.2%
  • 全自動多點掃描多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)
  • 快速材料表征,可自動執(zhí)行校正因子計算

本文使用基于四探針法四探針方阻儀對不同溫區(qū)的阻值變化系統(tǒng)表征,揭示了界面接觸電阻隨溫度演化的物理機制。

原文參考:《Molybdenum low resistance thin film resistors for cryogenic devices》

*特別聲明:本公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,如涉及版權(quán)問題,敬請聯(lián)系,我們將在第一時間核實并處理。

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