薄層電阻（Sheet Resistance, Rs）是表征導電薄膜性能的關鍵參數，直接影響柔性電子、透明電極及半導體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成為標準測量技術，尤其適用于納米級薄膜表征。本文系統探討四探針法的測量原理、優化策略及其在新型導電薄膜研究中的應用，并結合FlexFilm在半導體量測裝備及光伏電池電阻檢測系統的技術積累，為薄膜電學性能的精確測量提供理論指導和技術參考。

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樣品制備

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本研究采用標準化制備流程，在預涂覆聚酰亞胺/絕緣雙層的200 mm Borofloat玻璃晶圓上沉積12組IGZO薄膜，通過差異化后處理工藝調控其薄層電阻值，并額外沉積5 nm鈦金屬層以適配四探針法、微波諧振器和太赫茲時域光譜三種測量技術的對比需求。所有樣品制備均在嚴格控制的潔凈室環境下完成，確保工藝參數（如沉積溫度25±0.5u℃、真空度<5×10?6 Torr、退火溫度150–350℃）的高度一致性，為后續測量技術比對提供可靠的樣品基礎。

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四探針法的基本原理

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四探針測量裝置示意圖

四探針法（4PP）是測量薄膜薄層電阻（Rs）最常用且最簡單的技術。典型的四探針裝置由四個等間距排列的共線探針組成，用于與被測材料建立電接觸。Rs的計算方法為：在外側兩個探針上施加直流電流（I），在內側兩個探針上測量產生的電壓降（ΔV）。通過測量該電壓降，可使用公式計算薄層電阻：

對于有限尺寸樣品，需引入幾何修正因子C。

其中C值取決于樣品尺寸與探針位置關系，可通過有限元仿真確定。

• 實驗流程

全晶圓掃描：對200 mm晶圓進行20點網格化測量局部表征：將晶圓切割為20×20 mm2樣片，測量中心及四邊緣位置數據驗證：每個點位重復測量4次，剔除異常值后取平均

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其他技術的基本原

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• 微波諧振器法

掃描式介質諧振器系統示意圖

微波諧振器法的理論基礎建立在介質擾動理論上，其核心測量方程為：其中關鍵參數：Δfs：鍍膜與空白襯底的共振頻率差Δwg?Δws：鍍膜與空白襯底的共振線寬差f0：3.25 GHz基頻（TE01模）εs′：襯底介電常數實部該技術通過非接觸式微波探測（邊緣場擾動原理）實現200mm晶圓的全自動掃描測量（步長可調5-20mm），兼具亞納米級厚度分辨率與秒級單點測量速度，特別適用于超薄易損薄膜及在線工藝監控。

• 太赫茲時域光譜

三組晶圓樣品的頻域分辨薄層電阻測量示例

太赫茲時域光譜（THz TDS）技術通過測量薄膜對太赫茲波的透射率來計算薄層電阻，其核心方程為：

式中關鍵參數：Z0=376.7Ω：真空阻抗（波阻抗）ns：襯底材料的太赫茲折射率t=Ew/Esub：振幅透射率（鍍膜樣品與空白襯底的太赫茲場強比）該技術通過非接觸式透射測量（精度<0.5%）實現薄層電阻的快速檢測（頻域平均法<1秒/點）和頻變特性分析（頻域分辨法），兼具25mm大范圍掃描和2μm微區表征能力，特別適用于柔性電子和半導體薄膜的無損檢測。

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測量結果對比分析

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三種測量技術對12片晶圓測量的薄層電阻平均值

對比三種測量技術，發現其對12片IGZO/Ti薄膜晶圓的薄層電阻測量結果具有良好一致性。由于晶圓表面電阻存在顯著的空間不均勻性，為確保可比性，研究采用將晶圓切割為20mm×20mm標準樣片的方法，在五個固定位置（中心、頂部、底部、左側、右側）進行重復測量。

經切割處理的12片晶圓薄層電阻測量結果對比

測量結果顯示，三種技術在微觀尺度仍保持高度吻合，其中鈦鍍層的后處理工藝是影響電阻值的主要因素。盡管微波和太赫茲技術具備非破壞性優勢，但本研究通過切割晶圓的對比方法，驗證了四探針法作為基準測量技術的可靠性，同時揭示了樣品空間異質性對測量結果的重要影響。四探針法作為薄層電阻測量的金標準，具有測量原理簡單、數據可靠的優勢。該方法基于歐姆定律直接測量，不受材料介電特性影響，尤其適用于實驗室標定。通過研究探索與非接觸技術融合的方案，在保留基準性的同時實現快速掃描。

四探針方阻儀

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四探針方阻儀用于測量薄層電阻（方阻）或電阻率，可以對最大230mm 樣品進行快速、自動的掃描， 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

• 超高測量范圍，測量1mΩ~100MΩ
• 高精密測量，動態重復性可達0.2%
• 全自動多點掃描，多種預設方案亦可自定義調節
  
• 快速材料表征，可自動執行校正因子計算

Xfilm埃利四探針方阻儀在本文中不僅是四探針法理論優勢的實踐載體，更是推動多技術對比研究的關鍵工具。未來將進一步提升四探針法的適用邊界，使其在先進電子制造中持續發揮核心作用。

原文參考：《Sheet Resistance Measurements of Conductive Thin Films: A Comparison of Techniques》

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