IGBT元件的短路和過電壓保護
IGBT元件的短路和過電壓保護
有關短路和過電壓保護的流程圖：
沒有附加保護裝置的 10μs 短路 SOA 操作。
由于元件破壞、控制電路異常（空載時間不足）而引起的橋臂短路電流范例：
由于相間短路引起的短路電流范例：
由于接地引起的短路電流范例（①或②的某一個有電流流動）：
短路電流關斷時的C-E間過電壓：
相間（負載）短路時，會流動非常大的電流，其電流值由電源電容器的ESR和IGBT的增益而決定。發生功率大幅度劇增，如果不在10μs以內關斷，就會損壞IGBT。此時還會發生浪涌電壓，其電壓值為集電極及發射極分布電感Ls與-di/dt之積。即使Ls為0.1μH，如果-di/dt為2,000A/μs，此電壓為200V。為了降低-di/dt，需要緩慢地關斷IGBT（軟關斷）。當然，配線時應注意盡可能讓殘留電感最小。
另外，IGBT從飽和狀態向不飽和狀態移動時，集電極的電位上升。因此，門極也由于反向傳輸電容而導致門極電位上升。這有進一步增強集電極電流的作用，還有導致門極破壞的危險，因此建議在門極-發射極之間加入穩壓二極管和電阻。
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原文標題：IGBT元件的短路和過電壓保護
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