引言

在半導體和顯示面板制造過程中，光刻膠剝離環節若處理不當，易引發寄生柵極效應和斜紋 Mura 問題，嚴重影響產品性能和顯示質量。同時，光刻圖形的精確測量對工藝優化不可或缺。本文將介紹可避免上述問題的光刻膠剝離裝置，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。

避免寄生柵極效應和斜紋 Mura 的光刻膠剝離裝置

問題成因分析

寄生柵極效應通常由光刻膠殘留、剝離液對金屬層的不均勻腐蝕導致電學性能異常；斜紋 Mura 則多因光刻膠剝離不均勻，在基板表面形成殘留物分布差異引起光學特性變化。傳統剝離裝置因剝離液分布不均、處理過程穩定性差等問題，易誘發這些缺陷。

裝置設計

該光刻膠剝離裝置主要由剝離液供給系統、反應腔室和超聲輔助系統組成。剝離液供給系統采用多噴頭均勻噴灑設計，通過精密流量控制裝置，確保剝離液在基板表面均勻覆蓋，避免局部濃度過高或過低引發剝離不均。反應腔室配備溫控模塊和氣體吹掃裝置，溫控模塊可將腔室溫度穩定控制在 20 - 30℃，保證剝離液性能穩定；氣體吹掃裝置在剝離完成后，及時清除殘留剝離液和光刻膠碎屑，防止其殘留引發寄生柵極效應和斜紋 Mura。超聲輔助系統通過在反應腔室壁安裝超聲換能器，產生高頻超聲波，促進剝離液對光刻膠的滲透和溶解，提高剝離效率和均勻性，減少光刻膠殘留風險 。

工作流程

將待剝離光刻膠的基板放置于反應腔室的載物臺上，設定好剝離液供給參數、溫度和超聲強度等。剝離液供給系統啟動，多噴頭均勻噴灑剝離液至基板表面，超聲輔助系統同時工作，加速光刻膠溶解。完成剝離后，溫控模塊保持腔室溫度穩定，氣體吹掃裝置啟動，清除殘留物，從而降低寄生柵極效應和斜紋 Mura 產生的可能性。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉現象，通過對比參考光束與樣品表面反射光束的光程差，將光強分布轉化為樣品表面高度信息，能夠實現納米級精度的光刻圖形形貌測量，可有效檢測光刻圖形的微小結構變化，為工藝優化提供數據支撐。

測量過程

將光刻工藝后的樣品置于白光干涉儀載物臺上，利用顯微鏡初步定位待測區域。調節干涉儀光路參數，獲取清晰干涉條紋圖像。通過專業軟件對圖像進行相位解包裹等處理，精確計算出光刻圖形的深度、寬度、側壁角度等關鍵參數，以評估光刻圖形質量是否符合工藝要求 。

優勢

白光干涉儀采用非接觸測量方式，避免對光刻圖形造成物理損傷；測量速度快，可實現批量檢測，滿足生產線上快速檢測需求；其三維表面形貌可視化功能，能直觀呈現光刻圖形的質量狀況，便于工程師快速定位和分析問題，及時調整光刻工藝參數，預防因光刻圖形質量問題引發的寄生柵極效應和斜紋 Mura 等缺陷 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇