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LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極管控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-07 16:54 ? 次閱讀
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LM7480 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 輸入供電系統(tǒng)。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。該器件在電源路徑中具有第二個 MOSFET,允許使用 HGATE 控制進(jìn)行負(fù)載斷開(ON/OFF 控制)和過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護(hù)功能。LM7480 有兩種型號,LM74800 和 LM74801。LM74800 采用線性穩(wěn)壓和比較器方案的反向電流阻斷,而 LM74801 方案支持基于比較器的方案。對于功率 MOSFET 的共漏配置,中點可用于使用另一個理想二極管的 ORing 設(shè)計。LM7480 的最大額定電壓為 65 V。通過在共源拓?fù)渲信渲闷骷耐獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受擴(kuò)展過壓瞬變的影響,例如 24 V 電池系統(tǒng)中的 200 V 非抑制負(fù)載突降。
*附件:lm7480.pdf

特性

  • 適用于寬溫應(yīng)用
    • 器件溫度:-55°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
  • 驅(qū)動采用共漏極和共源極配置的外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié) (LM74800) 的理想二極管作
  • 低反向檢測閾值 (–4.5 mV),具有快速響應(yīng) (0.5 μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)過壓保護(hù)
  • 2.87μA 的低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低)
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM7480是一款理想二極管控制器,可驅(qū)動和控制外部背靠背N溝道MOSFETs,以模擬理想二極管整流器,并提供電源路徑ON/OFF控制和過壓保護(hù)。其輸入電壓范圍寬達(dá)3V至65V,適用于12V和24V電池供電系統(tǒng)的保護(hù)和控制。

2. 關(guān)鍵特性

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至65V
  • ?反向輸入保護(hù)?:可承受負(fù)供電電壓低至-65V
  • ?理想二極管操作?:A至C正向電壓降調(diào)節(jié)至10.5mV(LM74800)
  • ?快速反向檢測?:低反向檢測閾值(-4.5mV)和快速響應(yīng)(0.5μs)
  • ?可調(diào)過壓保護(hù)?
  • ?低關(guān)斷電流?:2.87μA(EN/UVLO = Low)
  • ?小型封裝?:12引腳WSON封裝

3. 功能描述

  • ?雙門控輸出?:DGATE用于控制第一個MOSFET以模擬理想二極管,HGATE用于控制第二個MOSFET以實現(xiàn)電源路徑的ON/OFF控制和過壓保護(hù)。
  • ?電荷泵?:為外部MOSFET提供所需的柵極驅(qū)動電壓。
  • ?反向電池保護(hù)?:在反向電壓條件下快速關(guān)斷MOSFET,防止反向電流。
  • ?過壓保護(hù)?:通過編程電阻設(shè)置過壓閾值,當(dāng)電壓超過閾值時關(guān)斷電源路徑。
  • ?低Iq關(guān)斷模式?:通過EN/UVLO引腳控制,降低待機(jī)功耗。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • ?航空電子?:輸入反向極性保護(hù)、傳感器、成像、雷達(dá)
  • ?主動ORing?:冗余電源

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:12引腳WSON封裝
  • ?尺寸?:3.00mm × 3.00mm

6. 設(shè)計指南

  • ?MOSFET選擇?:根據(jù)最大連續(xù)漏極電流、最大漏源電壓、柵極閾值電壓等參數(shù)選擇合適的MOSFET。
  • ?電荷泵電容?:選擇合適的電容值以確保柵極驅(qū)動電壓的穩(wěn)定。
  • ?輸入和輸出電容?:推薦至少使用0.1μF的輸入和輸出電容。
  • ?過壓保護(hù)和電池監(jiān)測電阻?:根據(jù)過壓閾值和電池監(jiān)測比例計算并選擇合適的電阻值。
  • ?布局建議?:關(guān)鍵信號線應(yīng)盡量短,以減少寄生電感和電容的影響;瞬態(tài)抑制組件應(yīng)靠近LM7480放置。

7. 文檔與支持

  • 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊,包括規(guī)格、應(yīng)用信息、布局指南等。
  • 可通過TI的E2E?支持論壇獲取設(shè)計幫助和快速驗證答案。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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