LM74810-Q1 理想二極管控制器驅動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關控制和過壓保護的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護和輸出電壓保持。3.8mA 的強電荷泵具有 60mA 峰值 GATE 源電流驅動級和短導通和關斷延遲時間,可確保快速瞬態響應,確保在 ISO16750 或 LV124 等汽車測試期間實現穩健高效的 MOSFET 開關性能,其中 ECU 會受到輸入短時中斷和高達 200KHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。該器件在電源路徑中具有第二個 MOSFET,允許使用 HGATE 控制進行負載斷開(ON/OFF 控制)和過壓保護。該器件具有可調節的過壓截止保護功能,用于負載突降保護。
*附件:lm7481-q1.pdf
特性
- 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
- 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類 2 級
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 低至 –65 V 的反向輸入保護
- 驅動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
- 具有 9.1mV A 至 C 正向壓降調節的理想二極管作
- 低反向檢測閾值 (–4 mV),具有快速響應 (0.5 μs)
- 高達 200KHz 的有源整流
- 60mA 峰值柵極 (DGATE) 導通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
- 集成 3.8mA 電荷泵
- 可調過壓保護
- 2.87 μA 低關斷電流 (EN/UVLO=低)
- 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
- 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態要求
- 采用節省空間的 12 引腳 WSON 封裝
參數
方框圖
1. 產品概述
- ?產品名稱?:LM7481-Q1 Ideal Diode Controller
- ?應用領域?:主要用于汽車應用,如電池保護、ADAS域控制器、頭單元和高級音頻系統等。
- ?特點?:AEC-Q100認證、寬輸入電壓范圍(3V至65V)、反向輸入保護、理想二極管操作、低反向檢測閾值、快速響應、主動整流、過壓保護等。
2. 功能描述
- ?理想二極管控制?:通過驅動外部背靠背N溝道MOSFET來模擬理想二極管整流器,實現電源路徑的ON/OFF控制和過壓保護。
- ?電荷泵?:集成3.8mA電荷泵,提供驅動外部MOSFET所需的電壓。
- ?雙門控?:具有DGATE和HGATE兩個獨立的門控輸出,分別用于控制理想二極管階段和負載斷開開關階段。
- ?過壓保護?:通過調整過壓閾值實現負載保護,防止過壓損壞。
3. 技術規格
- ?輸入電壓范圍?:3V至65V
- ?工作溫度范圍?:-40°C至+125°C
- ?最大漏電流?:在反向電壓下,漏電流為19μA(典型值)
- ?電荷泵電流?:3.8mA(典型值)
- ?DGATE峰值源電流?:60mA
- ?HGATE峰值漏電流?:260mA
4. 應用電路
- ?典型應用?:包括12V反向電池保護、冗余電源ORing、過壓保護和電源路徑ON/OFF控制等。
- ?設計考慮?:如MOSFET選擇、電荷泵電容計算、輸入輸出電容、保持電容、過壓保護和電池監測電阻計算等。
5. 布局指導
- ?布局建議?:理想二極管階段的A、DGATE和C引腳應靠近MOSFET的源極、柵極和漏極引腳;負載斷開階段的HGATE和OUT引腳應靠近MOSFET的柵極和源極引腳;高電流路徑應使用短而粗的走線以最小化電阻損失。
6. 封裝信息
- ?封裝類型?:12引腳WSON封裝,尺寸為3.0mm x 3.0mm。
- ?環境信息?:符合RoHS標準,峰值回流溫度為260°C。
7. 文檔支持
8. 注意事項
- ?靜電放電(ESD)警告?:處理集成電路時應采取適當的預防措施,以防止ESD損壞。
- ?布局禁忌?:不要將裸露的熱墊(RTN)連接到GND平面,否則將禁用反向極性保護功能。
9. 安全與合規
- ?安全信息?:用戶應負責選擇合適的TI產品,設計、驗證和測試其應用,并確保其應用符合適用的標準和其他安全、監管要求。
- ?責任聲明?:TI對其提供的技術和可靠性數據、設計資源等不承擔任何明示或暗示的保證,包括適銷性、特定用途適用性或非侵權性的暗示保證。
這份文件詳細描述了LM7481-Q1理想二極管控制器的功能、技術規格、應用電路、布局指導、封裝信息、文檔支持、注意事項以及安全與合規要求,為用戶提供了全面的產品信息和設計指導。
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