LM74912-Q1 理想二極管控制器驅動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關控制的理想二極管整流器，具有過壓、欠壓和輸出短路保護功能。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （DGATE） 驅動第一個 MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中具有第二個 MOSFET，該器件允許使用 HGATE 控制在發生過流和過壓事件時進行負載斷開（ON/OFF 控制）。該器件集成了電流檢測放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 檢測的短路保護，并具有可調節的電流限制。當在輸出上檢測到短路情況時，該器件將鎖存負載斷開 MOSFET。該器件具有可調節的過壓截止保護功能。該器件具有 SLEEP 模式，可實現超低靜態電流消耗 （6 μA），同時在車輛處于停車狀態時為始終開啟的負載提供刷新電流。LM74912-Q1 的最大額定電壓為 65 V。
*附件：lm74912-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護
• 在共漏極配置中驅動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調節的理想二極管作
• 低反向檢測閾值 （–10.5 mV），快速響應 （0.5 μs）
• 20mA 峰值柵極 （DGATE） 導通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關斷電流
• 可調的過壓和欠壓保護
• MOSFET 閉鎖狀態下的輸出短路保護
• 關斷電流為 2.5μA 的超低功耗模式（EN=低）
• 具有 6μA 電流的睡眠模式（EN=高，睡眠=低）
• 通過合適的瞬態電壓抑制器 （TVS） 二極管滿足汽車ISO7637瞬態要求
• 采用 4 mm × 4 mm 24 引腳 VQFN 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

LM74912-Q1 是一款專為汽車應用設計的理想二極管控制器，具備故障輸出、過壓、欠壓和短路保護功能。該器件適用于驅動和控制外部背對背N溝道MOSFET，以模擬理想二極管整流器，并提供電源路徑的ON/OFF控制。

2. 關鍵特性

• ?AEC-Q100 認證?：適用于汽車應用，環境溫度范圍為-40°C至+125°C。
• ?寬輸入范圍?：支持3 V至65 V的輸入電壓范圍，適用于12 V和24 V汽車電池供電的ECU。
• ?反向輸入保護?：可承受低至-65 V的負電源電壓。
• ?理想二極管操作?：具有10.5 mV的A到C正向電壓降調節。
• ?快速響應?：反向檢測閾值為-10.5 mV，響應時間為0.5 μs。
• ?低功率模式?：SLEEP模式下電流僅為6 μA，關斷模式下電流為2.5 μA。
• ?短路保護?：輸出短路保護，MOSFET鎖定關閉狀態。
• ?可調整保護?：過壓和欠壓保護可調。

3. 電氣規格

• ?工作結溫?：-40°C至150°C。
• ?供電電壓?：3 V至65 V。
• ?啟用閾值電壓?：EN引腳啟用閾值電壓為0.8 V至1.05 V，關斷閾值電壓為0.41 V至0.7 V。
• ?過壓/欠壓保護?：過壓保護閾值可調，欠壓保護閾值可調。
• ?短路保護?：短路保護閾值默認為50 mV，可通過外部電阻調整。

4. 功能描述

• ?雙柵極控制?：DGATE用于控制理想二極管階段的MOSFET，HGATE用于控制負載斷開開關階段的MOSFET。
• ?電荷泵?：為外部N溝道MOSFET提供驅動電壓。
• ?短路保護?：監測外部MOSFET的VDS電壓，并在超過閾值時關閉HGATE，同時FLT引腳拉低。
• ?過壓/欠壓保護?：通過調整SW、OV和UVLO引腳的電阻分壓網絡來設置過壓和欠壓閾值。
• ?SLEEP模式?：在SLEEP引腳拉低時進入低功耗模式，內部電荷泵和柵極驅動關閉，但提供內部旁路路徑以維持有限電流的輸出電壓。

5. 應用領域

• 汽車電池保護
• ADAS域控制器
• 信息娛樂和集群系統
• 汽車外部放大器
• 冗余電源的主動ORing

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：24引腳VQFN封裝。
• ?封裝尺寸?：4 mm × 4 mm。

7. 文檔與支持

• 提供詳細的數據手冊，包括規格、應用信息、布局指南等。
• 可通過TI的E2E?支持論壇獲取設計幫助和快速驗證答案。