LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 標準的汽車級理想二極管控制器，它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，作為理想二極管整流器，提供低損耗反極性保護，正向壓降為 20 mV。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓，例如 12 V、24 V 和 48 V 汽車電池系統。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統中的嚴苛冷啟動要求。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。
*附件：lm74700-q1.pdf

該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調節 20 mV 的正向壓降。該調節方案可在反向電流事件期間正常關閉 MOSFET，并確保零直流反向電流流過。對反向電流阻斷的快速響應 （< 0.75 μs） 使該器件適用于在ISO7637脈沖測試期間具有輸出電壓保持要求的系統以及電源故障和輸入微短路情況。

LM74700-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅動。LM74700-Q1 的高額定電壓有助于簡化汽車ISO7637保護的系統設計。當使能引腳為低電平時，控制器關閉并消耗大約 1 μA 的電流。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動）
• –65V 反向額定電壓
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
• 20mV 陽極到陰極正向壓降調節
• 使能引腳功能
• 1μA 關斷電流 （EN=Low）
• 80μA 工作靜態電流 （EN=高）
• 2.3A 峰值柵極關斷電流
• 對反向電流阻斷的快速響應：< 0.75 μs
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車 ISO7637 瞬態要求
• 提供 6 引腳和 8 引腳 SOT-23 封裝，封裝尺寸為 2.90 mm × 1.60 mm

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?名稱?：LM74700-Q1
• ?類型?：低IQ反向電池保護理想二極管控制器
• ?應用?：
  • 汽車ADAS系統（如攝像頭）
  • 汽車信息娛樂系統（如數字儀表板、頭單元）
  • 工業工廠自動化（如PLC）
  • 企業電源供應
  • 冗余電源的主動ORing

2. 主要特性

• ?AEC-Q100認證?：符合汽車級標準，工作溫度范圍-40°C至+125°C
• ?輸入范圍?：3.2V至65V（啟動電壓3.9V）
• ?反向電壓額定值?：-65V
• ?前向電壓降?：20mV
• ?啟用引腳?：啟用時工作靜態電流80μA，禁用時1μA
• ?峰值柵極關斷電流?：2.3A
• ?反向電流阻斷響應?：< 0.75μs
• ?符合標準?：滿足汽車ISO7637瞬態要求

3. 功能描述

• ?反向極性保護?：通過外部N通道MOSFET實現低損耗反向極性保護
• ?電荷泵?：為外部N通道MOSFET提供柵極驅動電壓
• ?前向電壓降調節?：持續監測ANODE和CATHODE引腳間的電壓，并調整GATE至ANODE電壓以維持20mV的前向電壓降
• ?快速響應?：在檢測到反向電流時快速關閉MOSFET，確保無直流反向電流流動
• ?啟用引腳?：控制LM74700-Q1的開關，禁用時大幅降低靜態電流

4. 電氣特性

• ?工作電壓?：ANODE引腳電壓范圍3.2V至65V
• ?靜態電流?：啟用時80μA至130μA，禁用時0.9μA至1.5μA
• ?柵極驅動能力?：峰值源電流311mA，峰值漏電流2370mA
• ?電荷泵性能?：源電流162μA至300μA，漏電流5μA至10μA
• ?溫度范圍?：結溫-40°C至+150°C

5. 應用信息

• ?典型應用?：12V和24V電池保護電路
• ?設計考慮?：包括輸入電壓范圍、負載電流、輸出電容、MOSFET選擇和TVS二極管選擇等
• ?ORing應用?：用于冗余電源架構，減少正向二極管壓降，提高系統效率

6. 布局指南

• ?引腳連接?：ANODE、GATE和CATHODE引腳應靠近MOSFET的SOURCE、GATE和DRAIN引腳
• ?高電流路徑?：使用厚銅跡線以最小化電阻損耗
• ?電容布局?：電荷泵電容應遠離MOSFET以降低熱效應

7. 文檔與支持

• ?更新通知?：可通過TI網站訂閱產品文檔更新
• ?支持資源?：提供TI E2E?在線社區支持

8. 封裝信息

• ?封裝類型?：6引腳和8引腳SOT-23封裝，尺寸2.90mm × 1.60mm
• ?溫度等級?：1級，適合汽車應用

9. 注意事項

• ?靜電放電（ESD）防護?：處理時需采取適當的ESD防護措施
• ?熱管理?：高結溫會降低器件壽命，設計中需考慮散熱
• ?故障處理?：在檢測到故障時，設備將關閉外部MOSFET，需根據應用需求設計故障處理邏輯