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LM74700D-Q1 汽車類 3.2V 至 70V、80μA 電池反向保護理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-07 11:20 ? 次閱讀

LM74700D-Q1 是一款符合汽車 AEC Q100 標準的理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管整流器,用于低損耗反極性保護,正向壓降為 20 mV。3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓,例如 12V、24V 和 48V 汽車電池系統(tǒng)。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統(tǒng)中的嚴苛冷啟動要求。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。
*附件:lm74700d-q1.pdf

該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調(diào)節(jié) 20 mV 的正向壓降。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件期間正常關(guān)閉 MOSFET,并確保零直流反向電流。對反向電流阻塞的快速響應(yīng) (< 0.75 μs) 使該器件適用于在ISO7637脈沖測試期間具有輸出電壓保持要求以及電源故障和輸入微短路情況的系統(tǒng)。

LM74700D-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動。LM74700D-Q1 的高額定電壓有助于簡化汽車ISO7637保護的系統(tǒng)設(shè)計。當(dāng)使能引腳為低電平時,控制器關(guān)閉并消耗大約 1 μA 的電流。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,結(jié)果如下
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動)
  • –65V 反向額定電壓
  • 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
  • 20mV 陽極到陰極正向壓降調(diào)節(jié)
  • 使能引腳功能
  • 1μA 關(guān)斷電流 (EN=Low)
  • 80μA 工作靜態(tài)電流 (EN=高)
  • 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
  • < 0.75μs 的反向電流阻塞響應(yīng)
  • 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用 8 引腳 SOIC 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM74700D-Q1是一款A(yù)EC-Q100認證的汽車級低IQ反向電池保護理想二極管控制器,適用于需要低損耗反向極性保護的電路,如汽車ADAS系統(tǒng)、車載娛樂系統(tǒng)、工業(yè)自動化及企業(yè)電源供應(yīng)等。

2. 主要特性

  • ?AEC-Q100認證?:符合汽車級標準,溫度等級1(-40°C至+125°C)。
  • ?寬輸入范圍?:3.2V至65V,啟動電壓3.9V。
  • ?反向電壓額定值?:-65V。
  • ?低正向電壓降?:20mV。
  • ?低IQ與低操作靜態(tài)電流?:1μA(關(guān)斷狀態(tài)),80μA(開啟狀態(tài))。
  • ?快速響應(yīng)?:<0.75μs的反向電流阻斷響應(yīng)。
  • ?電荷泵驅(qū)動?:為外部N溝道MOSFET提供電荷泵門驅(qū)動。
  • ?使能引腳?:通過使能引腳控制設(shè)備開啟與關(guān)閉。

3. 電氣規(guī)格

  • ?絕對最大額定值?:輸入引腳電壓ANODE至GND為-65V至70V,輸出引腳GATE至ANODE為-0.315V等。
  • ?推薦操作條件?:ANODE至GND電壓為-60V至65V,工作結(jié)溫為-40°C至150°C。
  • ?電氣特性?:包括供應(yīng)電壓、操作靜態(tài)電流、使能輸入閾值、正向電壓降調(diào)節(jié)閾值等詳細參數(shù)。

4. 功能描述

  • ?輸入電壓監(jiān)測?:監(jiān)測ANODE引腳電壓以控制設(shè)備操作。
  • ?電荷泵?:為外部N溝道MOSFET提供必要的門驅(qū)動電壓。
  • ?門驅(qū)動?:根據(jù)ANODE至CATHODE電壓調(diào)整GATE至ANODE電壓,以控制MOSFET的導(dǎo)通與截止。
  • ?使能功能?:通過EN引腳控制設(shè)備的開啟與關(guān)閉狀態(tài)。

5. 設(shè)備功能模式

  • ?關(guān)斷模式?:EN引腳電壓低于輸入低閾值時,設(shè)備進入低IQ操作模式。
  • ?傳導(dǎo)模式?:包括正向調(diào)節(jié)模式、全導(dǎo)通模式和反向電流保護模式,根據(jù)ANODE至CATHODE電壓自動調(diào)整。

6. 應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:如12V電池保護應(yīng)用,結(jié)合外部N溝道MOSFET和TVS二極管實現(xiàn)反向極性保護。
  • ?設(shè)計考慮?:包括MOSFET選型、電荷泵電容、輸入與輸出電容的最小要求等。
  • ?布局指南?:提供布局示例和布線建議,以確保最佳性能。

7. 文檔與支持

  • 提供數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南及相關(guān)文檔。
  • 可通過TI的E2E?支持論壇獲取技術(shù)支持和解答疑問。

8. 封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:8引腳SOIC封裝。
  • ?尺寸?:5mm × 3.9mm。
  • ?訂購信息?:提供詳細的訂購指南和可選型號。

LM74700D-Q1憑借其寬輸入范圍、低損耗、快速響應(yīng)及汽車級認證等特點,成為汽車及其他需要高可靠性反向極性保護應(yīng)用的理想選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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